Yüksek sıcaklık uygulamaları, aşırı termal koşullar altında güvenilir bir şekilde çalışabilecek özel yarı iletken malzemeler gerektirir. Uygun malzemeler seçmek ve doğru hesaplamalar yapmak, bu yarı iletkenleri performans ve uzun ömürlülüğü sağlamak için tasarlayabilmenin temel adımlarıdır.

Yüksek hacimli yarı iletkenler için malzeme seçimi

Yüksek sıcaklık yarı iletkenlerinde kullanılan malzemeler, geniş bant boşlukları, yüksek termal stabiliteleri ve yüksek sıcaklıklardaki iyi elektrik özellikleri olmalıdır. Ortak seçimler silikon lübü (GaN), galium nitride (GaN) ve elmas. Bu malzemeler geleneksel silikon bazlı yarı iletkenlerle kıyasla daha yüksek sıcaklıklara dayanabiliyor.

Anahtar Malzeme Özellikleri

  • [FONT:0)Band Gap: Wide grup boşlukları termal şarj taşıyıcılarını azaltır.
  • [FONT:0) ⁇ Davranışı: [Dönetici: Yüksek termal iletkenlik ısıyı verimli bir şekilde dağıtmaya yardımcı olur.
  • [FONT:0)Breakdown Gerilim: [Döntgen: [Dönüşük gerilimler yüksek gerilimlerde operasyon sağlar.
  • [FONT:0) ⁇ Stability:[Dönetici: Yüksek sıcaklıklarda bozulmaya karşı Direniş.

Yüksek Çağ Performans Performansı için Hesaplamalar

Yarı iletkenleri, intrinsic taşıyıcı konsantrasyonu, mobilite ve yüksek sıcaklıklardaki gerilim gibi parametreleri hesaplamayı içerir. Bu hesaplar cihazın davranışını tahmin etmeye ve operasyonel koşullar altında güvenilirliğe yardımcı olur.

Intrinsic Carrier Concentration

Intrinsic taşıyıcı konsantrasyonu sıcaklıkla artar, iletkenliği etkiler. denklemi kullanarak tahmin edilebilir:

[FONT:0)[Dönemli: {0}[Dönemli: s.)[*) {0}[*) {0|0|0|0|0|0|0|0|0|0|0|[x|))))))

Breakdown Gerilim Hesaplama

Hasar gerilimi malzeme özelliklerine ve cihaz geometrisine bağlıdır. Bu, yaklaşık olarak tanımlanabilir:

[FONT:0)V)[FONT) = E) × d[FLT: 4)