Математичне моделювання в машинобудуванні
Аналіз від перегріву до параметра Drift
Table of Contents
MOSFETs широко використовується в електронних схемах для перемикання та посилення. Розуміння режимів відмов дозволяє підвищити надійність і дизайн. У цій статті представлені реальні приклади аналізу несправностей MOSFET, що фокусуються на перегріві та параметрі дрифт.
Оздоблення попелиці
Огрів - це загальна причина збою MOSFET. Надмірне тепло може пошкодити полупровідникову з'єднання, що веде до деградації пристрою або катастрофічної несправності. В одному випадку потужність MOSFET використовується в двигуні, що перегрівається через неадекватне змивання тепла, що викликає пристрій, щоб не вдалося після декількох годин експлуатації.
Аналіз відключення виявляв тепловий пробіг, де підвищена температура викликала більш високі струми витоку, подальше підвищення температури. Правильне тепломенеджмент, включаючи поліпшені радіатори та повітряний потік, запобігає рецидиву.
Параметр Дриф
Параметр дрифт передбачає зміни в характеристиках MOSFET з часом, впливаючи на продуктивність схеми. У високочастотному застосуванні перемикача пороговий напругу зміщений поступово, знижуючи ефективність. Аналіз показав деградацію шару оксиду воріт, збільшення струмів витоку.
Цей дрейф був простежений назад до тривалого впливу високих напруг і температур. Реалізація затиску напруги і краще теплового управління мінімізованих перепадів параметрів.
Інші режими відключення
Додаткові режими збою включають в себе електростатичні розряди (ESD) пошкодження і дефекти виробництва. ESD може викликати негайну несправність пристрою або пошкодження пізніх речовин, які проявляються пізніше. Виготовляти дефекти, такі як домішки або неповний допінг, також може призвести до ранньої збою.
- Напруга на стрес
- Механічна шкода
- Екологічні фактори