Розуміння вбудованого потенціалу в напівпровідникових з’єднань є важливим для проектування та аналізу електронних пристроїв. Ця стаття досліджує практичні методи визначення цього важливого параметра точно.

Метод 1: Вимірювання капацiйно-Voltage (C-V)

За допомогою параметра C-V вимірювань передбачає аналіз області виснаження діоду. За допомогою зворотного зносу і вимірювання ємності, вбудований потенціал можна розрахувати за допомогою співвідношення:

V bi = (kT/q) * ln(N A * N D / n i^2) + V R

Де V bi є вбудованим потенціалом, N A і N D є концентрацій допінгу, n i - це внутрішня концентрація перевізника, V R - це прикладна зворотна упередженість, а інші символи мають свої звичні значення.

Метод 2: Метод напруги Open-Circuit

Цей метод вимірює відкриту напругу (V OC) діоду під підсвічуванням. V OC пов'язаний з вбудованим потенціалом рівнянням:

V OC ≈ V bi - (kT/q) * ln(I L / I 0)

Ось I L є фотопоточним, і I 0 є струмом насиченості. За допомогою вимірювання V OC і знаючи поточні значення, V bi можна оцінити.

Метод 3: Електролюміноресценції та фотолюмінесцентні

Оптичні методи передбачають аналіз емісійних спектрів з'єднання. Довжина хвилі пікової емісії відноситься до енергетичного розриву, який може бути використаний для визначення вбудованого потенціалу непрямо.

Ці методи корисні для матеріалів, де є певні електричні вимірювання.

Редакція

  • Заміри проходу-Вотт
  • Метод напруга на цирконію Open-Circuit
  • Аналіз оптичної емісії