Низькорідні підсилювачі (LNAs) є важливими компонентами в системах зв'язку, де вони посилюють слабкі сигнали без значно зростаючого шуму. Трансистори зазвичай використовуються в LNAS через їх високу швидкість і частотну відповідь. Правильний дизайн передбачає розуміння трансистори характеристики і застосування специфічних обчислень для оптимізації продуктивності.

Принципи проектування низького шумопідсилювача

Основною метою створення ЛНК є мінімізація шуму при підтримці адекватного набору. Вибір транзистора є критичним; пристрої з низькими параметрами шуму краще. Вхідної невідповідності відповідає мережі, призначеному для узгодження оптимального шуму в транзисторі, зменшення шуму.

Основні розрахунки для трансістор-Базова ЛНАС

Проектування ЛНК передбачає кілька розрахунків, в тому числі визначення точки в’їзду, введення і шумоподібності. Параметри шуму транзистора, такі як мінімальний шумовий малюнок (Fmin), еквівалентний шуморезистентності (Rn), і оптимальне джерело імпедансу (Rs), направляючи ці розрахунки.

Приклад розрахунку шумоподібної фігури

Насадка транзистора має мінімальний шумовий фігуру (Fmin) 0,5 дБ, еквівалентний шуморезистентність (Rn) 2 омів, а вихідний опір (Rs) становить 50 ом. Фактичний шумовий показник (F) може бути оцінений за допомогою:

F = Fmin + (4 * Rn / Rs)

Настанова значень:

F = 0.5 + (4 * 2 / 50) = 0,5 + 0,16 = 0,66 дБ]

Цей розрахунок допомагає оцінити очікуваний рівень шуму підсилювача та направляє відповідним мережевим дизайном.