Розуміння напруги в діодах PN є важливим для аналізу їх поведінки в електронних схемах. Ця стаття пояснює основні поняття та практичні методи, які використовуються для обчислення цих напруг.

Теоретичні основи напруга Junction

Напруга з'єднання також відома як вбудований потенціал, є різницею напруги по області виснаження діоду PN, коли він знаходиться в рівновагі. Вона призводить до дифузії зарядних носіїв по стику і отриманого електричного поля.

Зазвичай напруга з'єднання залежить від рівня допінгу регіонів П і Н і температури. Для діодів кремнію ця напруга зазвичай коливається від 0,6 В і 0,7 В в умовах пересувних з'єднань.

Розрахунок напруги Junction

Найпоширеніший метод оцінки напруги з'єднання передбачає використання діодного рівняння:

I = I s (epublic(V / nV T)

Де я струм через діод, I s є струмом насиченості, V - це коефіцієнт підключення, n - це ідеальний фактор, і V T - це теплова напруга (~25.85 мВ при кімнатній температурі).

Заднє закріплення рівняння дозволяє розрахунок напруги з'єднання за даній струмі:

V = nV T ln(I / I s) + 1)]

Практичні питання

На практиці напруга з'єднання вимірюється безпосередньо за допомогою вольтметра, коли діод передається з'єднаний. Для цілей проектування, типові значення використовуються на основі діодного типу і умов експлуатації.

Температурні варіації значно впливають на на на напругу з'єднання, з більш високими температурами, що знижує напругу. При цьому інженери обліку для цього в схемі конструкції, щоб забезпечити надійну роботу.

  • Використовуйте рівняння діоду для точного розрахунку.
  • Розглянемо температурні ефекти на напругу.
  • Рефлектор на таблиці для значень типової напруги.
  • Заходи безпосередньо для реальних додатків світу.