Проектування підсилювачів передбачає вибір відповідних компонентів і виконання обчислень для забезпечення бажаної продуктивності. Біполярні віск-транзистори (BJTs) зазвичай використовуються в схемах підсилювача через їх високу наросту і універсальність. Ця стаття охоплює практичні розрахунки і стратегії для вибору BJT в дизайні підсилювача.

Принципи розробки базових підсилювачів

Підсилювач збільшує амплітуду сигналу введення. Ключові параметри включають посилення, пропускну здатність, введення/виведення імпульсу, а також живлення. Вибір компонентів і розрахунки є важливим для задоволення цих специфікацій.

Розрахунок за запобіжний і знижуючий

Розраховуваний коефіцієнт навантаження на КПВВВ, що забезпечує лінійну роботу. Розрахунковий струм колектора (Ік) здійснюється за допомогою базового струму (Іб) та поточного наросту (β):

Ic = β × Ib]

Напруга на виході (Av) залежить від резистора навантаження (Rl) і транспровідності. Для загального підсилювача випромінювача можна приблизно приблизно:

Av ≈ -Rc / Re

BJT Вибір стратегії

Вибираючи правильний BJT передбачає розгляд параметрів, таких як максимальний струм колектора (Ic max), розподіл живлення та отримання. Забезпечити транзистор може обробляти очікуваний струм і рівень напруги.

До таких стратегій відносяться:

  • Збігання набуту BJT (β) до вимог схеми
  • Забезпечення термостійкості через належне зносу
  • Перевірка максимальних рейтингів транзистора
  • Розглядання частоти для високочастотних додатків