Розуміння операційних регіонів трансиста є важливим для проектування та усунення несправностей електронних схем. Трансистори працюють переважно в трьох регіонах: відрізок, активне та насичення. Виявлення цих регіонів передбачає аналіз напруги та поточних умов в пристрої.

Теоретичні основи трансісторних регіонів

Три основні регіони визначаються напругами на перехрестях терміналів. У двополярному стикуванні трансистор (BJT), базово-диміттерських і базових напругах, визначають операційний стан. При базовому з'єднанні не передається, транзистор знаходиться в зрізі. Коли обидві з'єднання пересуваються, це в насиченні. Якщо тільки базова з'єднання передається зміщений і з'єднання колекціонера-базису зворотно зміщений, то трансистор знаходиться в активному регіоні.

Практичні методи вимірювання

Вимірювальні напруги та струми з багатометром дозволяють визначити робочу область. До основних вимірювань відносяться:

  • Базова напруга (V BE)
  • Колектор-Емітр напруги (V CE)
  • Базовий струм (I B)
  • Поточний колектор (I C)

Типові значення для кремнію BJT в активному регіоні є V BE близько 0,6–0.7V і V CE більше, ніж V BE. У насиченні V CE краплі нижче V BE, часто навколо 0.2V. У відключенні обидва V BE і V CE знаходяться біля нуля, з недбалими струмами.

Визначення робочої області

При порівнянні виміряних напруг, щоб відомі пороги, операційна область може бути виявлена. Наприклад, якщо V BE приблизно 0,7V і V CE високий, транзистор знаходиться в активному регіоні. Якщо V CE низький і струми високі, це в насиченні. Якщо струми мінімальні і напруги знаходяться біля нуля, пристрій знаходиться в зрізі.