Розуміння профілів допінгу є важливим для оптимізації продуктивності напівпровідників. Точний аналіз допомагає контролювати електричну характеристику та забезпечення надійності пристрою. Кілька практичних методів використовуються для оцінки розподілу допінгу в напівпровідникових матеріалах.

Методика аналізу профілю Doping

Різні методи можна аналізувати профілі допінгу, кожен з його перевагами та обмеженнями. Загальні методи включають вторинну іонну масу спектрометрію (SIMS), поширення опору профілювання (SRP), електрохімічну ємність-вольтаж (ECV) вимірювань.

Середня Іон Масспектрометрія (SIMS)

SIMS - це високочутна методика, яка забезпечує детальні профілі композиційних елементів. Вона передбачає запилення поверхні з первинним іонним промом і аналізом виводних вторинних іонів. SIMS пропонує високу глибину, але може бути деструктивним і вимагає калібрування для кількісного аналізу.

Розтягування профілювання (SRP)

SRP вимірює стійкість через напівпровідникову пробу до концентрації ферментів. Вона передбачає пресування променя проти поверхні зразка і зміни стійкості запису з глибиною. SRP неруйнівний, але забезпечує меншу просторову роздільну здатність порівняно з SIMS.

Метод електрохімічної ємності-Voltage (ECV)

ECV-профільування використовує електрохімічні методики для визначення рівня допінгу. Він передбачає формування шару розм'якшення і вимірювання ємності як функції напруги. ECV підходить для профілів допінгу, що допінгу і забезпечує хороші кількісні дані.

  • СКЛАД
  • Розтягування профілювання (SRP)
  • Електрохімічна капітність-Воттаж (ECV)
  • Зал впливу вимірювань
  • Електрохімічна капітність-Воттаж (ECV)