Малоякісні моделі є важливим інструментом для аналізу трансісторних схем. Вони спрощують комплексну нелінійну поведінку в лінійні наближення, що полегшує розуміння і прогнозування продуктивності схеми на конкретних робочих точках.

Розуміння моделей малого та середнього

Модель невеликого призначення являє собою поведінку транзистора для невеликих варіацій навколо його точки ближнього бою. Замінює нелінійний пристрій з лінійними компонентами, такими як резистори та контрольовані джерела, які приблизно реагування транзистора на невеликі вхідні сигнали.

Застосування малозабезпечених моделей

Щоб проаналізувати схему за допомогою малогабаритної моделі, слідуйте цими кроками:

  • Визначити точки боби в транзисторі в контурі.
  • Заміна транзистора з невеликою відмітною еквівалентною моделлю.
  • Аналіз отриманого лінійного контуру для пошуку напруг і струмів.

Загальні параметри малих-сигнових

Ключові параметри, що використовуються в малогабаритних моделях:

  • Транспровідність (гм): Співвідношення зміни струму колектора до зміни напруги базового рівня.
  • Вхідний опір (rπ):]. Стійкість, що дивиться в основу двополярного поперечного з'єднання.
  • Поступна стійкість (ro):]. Стійкість, що дивиться в колектора транзистора.