Полі-ефектні перетворювачі (FETs) є важливим компонентом в електронних схемах, що використовуються для посилення та перемикання. Розрахунок набуття FET передбачає розуміння параметрів та застосування конкретних формул. Ця стаття забезпечує покрокову методику точно визначити приріст FET.

Розуміння параметрів FET

Перед обчисленням набирають, важливо визначити ключові параметри FET, включаючи транспровідність (гм) і вихідний провідник (г]дс]). Ці параметри впливають на здатність посилення пристрою.

Процес розрахунку ступінчастих стипензій

Основна формула для отримання малих відкладних напруги (A]v]) в FET:

m ] = -g]m] R load

Де Р - опір навантаження, підключений до FET. Для продовження:

  • Визначити перепуск (г]м]) з таблиці даних пристрою або вимірювання.
  • Визначте опір навантаження (R ) в контурі.
  • Розрахунок на отримання за допомогою формули вище.

Додаткові характеристики

Для більш точного результату розглянемо ефект виведення (г]дс]) і напруга зливного джерела. Ці фактори можуть трохи змінювати розрахунок наросту, особливо в високочастотних додатках.