Розуміння падіння напруги на передньому проході (VF) в діодах є важливим для проектування надійних електронних ланцюгів. Силіконові та Schottky діоди мають різні характеристики напруги, які впливають на їх продуктивність в різних додатках. Ця стаття забезпечує практичний підхід до розрахунку переадресної напруги для цих діодів.

Переадреса напруги в діодах кремнію

Силіконові діоди зазвичай мають перекидання напруги близько 0,7 т.с. при проведенні. Це значення може змінюватися залежно від поточного проходження через діод і температурні умови. Для оцінки ВF може використовуватися простий апроксимаційний апроксимаційний період:

≈ 0.7 В + (0.02 В × I)

де я є вперед струм в міліамперах. Для більшості практичних цілей, використовуючи 0,7 В як стандартні значення суфії, якщо необхідні точні обчислення.

Переадресація напруги в Schottky діодах

Schottky diodes, як правило, мають меншу напругу вперед, як правило, між 0,2 і 0,3 вольт. Їх падіння напруги менше впливає на температуру і поточні варіації, порівняно з кремнієвими діодами. Приблизний розрахунок може бути виконаний за допомогою:

]

І знову, я є поточним в міліамперах. Для швидкої оцінки, припустимо 0,3 В забезпечує консервативне значення.

Практичні поради щодо розрахунку

При розрахунку перекидання напруги, враховуйте фактичний струм у вашій схемі. Використовуйте приблизні формули для швидкого оцінювання, але для детального дизайну, проконсультуйте опис діоду для точного VF] на конкретних струмах і температурах.

Температура підвищується в цілому, підвищується напругу в діодах кремнію, при цьому менш схильні діоди Шотків. Регульовані розрахунки відповідно до високотемпературних середовищ.