Розуміння пороги напруги трансформаторів є важливим для проектування ефективних перетворювачів потужності. Силіконові та галійські натріадниці (GaN) мають різні характеристики, які впливають на їх поведінку та загальну продуктивність.

Кремнієвий трансформатор Turn-On Напруга

Силіконові перетворювачі, як правило, мають порогу напругу від 0,7V до 1,5V. Ця напруга є мінімальною напругою для джерела, необхідною для включення перетворювача і дозволяють струмовий потік. Точне значення залежить від конкретного пристрою і його виробничого процесу.

Дизайнери часто вважають запас над пороги напруги, щоб забезпечити надійний перемикач. Наприклад, кремнієвий MOSFET може бути приведений з напругою воріт 10В, щоб повністю включити його, добре над пороги.

GaN Трансистор Turn-On Напруга

Напруга галій Nitride зазвичай має більш високу порогу напруги, як правило, між 2V і 4V. Вони вимагають більшої напруги для джерела, щоб перемикатися, але один раз активований, вони пропонують меншу частоту і більш швидке перемикання передач.

Цей характерний робить перетворювачі GaN, придатні для високочастотних додатків і високоефективного перетворення потужності. Правильна напруга приводу є критичним для повного використання своїх переваг.

Розрахунок пороги в конвертерах

Для визначення порогу напруги повороту в конвертері слід розглянути специфікацію таблиці престолів транзистора. Порога напруга (Vth) вказує на мінімальну напругу воріт, необхідну для проведення. Забезпечити траншумний привідний ланцюг забезпечує напругу над цим порогом для надійної роботи.

Для кремнієвих перетворювачів характерна напруга приводу 10В, що забезпечує запас безпеки над порігом. Для транзисторів GaN, приводна напруга 4В до 5В часто достатня, але деякі конструкції можуть знадобитися більш високі напруги для повноцінного проведення.

  • Перевірити таблицю даних для V .
  • Забезпечити напруга приводу воріт перевищує V ] забезпеченим запасом.
  • Регульувати привідні схеми на основі вимог до перемикання.
  • Розглянемо температурні ефекти на порогу напруги.