Розуміння того, як розрахувати опірність і провідність в допедих напівпровідниках є важливим для проектування електронних пристроїв. Цей посібник забезпечує практичні кроки для виконання цих обчислень на основі рівня допінгу і властивостей матеріалів.

Основи стійкості та провідності

Стійкість – це захід, як сильно матеріал опрощує потік електричного струму. Диригентність – це поперек опору і вказує, наскільки легко струм може проходити через матеріал. Обидва властивості залежать від складу матеріалу і рівня допінгу.

Розрахунок стійкості

Резиденція ((rho) допеда напівпровідник може бути розрахована за допомогою формули:

(rho = фрак{1}{q раз м'язы N}]

Де:

  • q] = елементарна зарядка (~1.6 × 10]-19 C)
  • μ] = мобільність зарядних носіїв (см2/V·s)
  • N] = концентрація допінгу (см-3])

За умовчанням відомих значень можна визначити опірність допеда напівпровідника.

Розрахунок дивідності

Диригент ((sigma)) обчислюється як оцінка резисторності:

(sigma = q разів mutime N)]

Ця формула показує, що збільшення концентрації допінгу або підвищення рухливості носіїв.

Практичний приклад

Насадка кремнієвого напівпровідника додається з концентрацією 1 × 1017 cm-3]. Якщо мобільність електронів становить 1350 см2]/V·s, то:

Стійкість:

(rho = фрак{1}{(1.6 раз 10rc-19}) раз 1350 раз 1 раз 10.02.2017 )

Диригентність:

(sigma = (1.6 раз 10iana-19}) раз 1350 раз 1 раз 10rc17})