Розуміння ємності MOSFET є важливим для проектування схем, які вимагають швидкісного перемикання. Точні розрахунки допомагають оптимізувати продуктивність і зменшити втрати потужності. Ця стаття забезпечує огляд ключових концепцій і методів розрахунку, пов'язаних з MOSFET.

Види коакцита MOSFET

MOSFETs має три основні ємності: брами-для-джерело (C), хвіртки-до-дозатор (Cгд]), а також стоків-то-джерело (Cд]). Ці ємності впливають на швидкість перемикання живлення та споживання електроенергії. Cгг та Cгд динамічні, змінні [F:10, змінні [F:10]

Розрахунок шлюзу

Можливість закріплення оксиду воріт на одиницю площі (C окс]) та зони воріт (A):

] ≈] ≈ C окс × A]

Де C окс обчислюється як:

окс окс] = ε окс / т окс

Вплив на швидкість перемикання

Капіталізація впливає на час перемикання МОФЕТ. Постійна дата (τ) надається:

τ = R × C]

де Р є опором в контурі. Низькі результати запобіжності при більш швидкому переключенні, що є критичним у швидкісних додатках.

Приклад практичного розрахунку

З огляду на оксидну товщину МРФТ з товщиною 2 нм та діелектричною констанцією оксиду (ε окс) 3.9 × 8.85 × 10-12 FLT:3] F/m, а також зону воріт 10 мкм × 10 мкм, запобіжник воріт розраховується наступним чином:

окис = (3.9 × 8.85 × 10]-12]) / (2 × 10-9]]) = 1.72 × 10]-3 F /m2]

А = 10 мкм × 10 мкм = 1 × 10-10 м2]

× 1 × 10-10] = 1.72 × 10]]-3 × 1 × 10-10] = 1.72 × 10]]-13] FLT:4]