Вимірювання концентрацій електронів та свердловин в напівпровідниках є важливим для розуміння своїх електричних властивостей. Точні вимірювання допомагають в розробці та оптимізації електронних пристроїв. Деякі техніки використовуються для визначення концентрацій цих носіїв.

Замір впливу залу

Ефект Холу є загальним методом вимірювання концентрацій перевізника. Він передбачає застосування магнітного поля перпендикулярно струму до струму, що протікає через напівпровідник. Отримана напруга, відома як напруга залу, використовується для розрахунку щільності носія.

Основні кроки включають підготовку зразка, нанесення магнітного поля, вимірювання напруги залу. Концентрація авіаперевізника виходить з коефіцієнта залу, що відноситься до напруги залів до струмового і магнітного поля.

Профілактика капацiйно-Voltage (C-V)

Профілування C-V використовується в основному для напівпровідників, таких як діоди та конденсатори MOS. Заходив конденсатор як функцію нагнітання на на напруги для визначення допінг-профіль та концентрацій носіїв.

При аналізі криві C-V, концентрація допінгу і, отже,, можна обчислити щільність вільного носія. Цей метод особливо корисний для профілювання глибини розподілу носіїв в напівпровіднику.

Оптичні методи

Оптичні методи, такі як фотолюмінесцентна і поглинання спектроскопія, забезпечують неруйнівні способи оцінки концентрацій перевізника. Ці методи аналізують вживане або поглинане світло для інферентних електронних властивостей.

Наприклад, інтенсивність фотолюмінесцентних сигналів корелює з кількістю вільних носіїв. Ці методи корисні для визначення напівпровідників без фізичного контакту.

Резюме техніки

  • Замір впливу залу
  • Профілактика капацiйно-Voltage
  • Оптичні методи