Baasing Transistors درست طور پر Analog strial relation کے لیے analog stricts میں مناسب کارکردگی کو یقینی بنانے کے لیے ضروری ہے. یہ مطلوبہ آپریٹنگ پوائنٹ یا کین پوائنٹ کو قائم کرنے میں مدد کرتا ہے، جس سے سرکٹ کی لکیر اور استحکام پر اثر پڑتا ہے۔اس مضمون میں ٹرانسسٹرز کو مؤثر طور پر استعمال کرنے میں استعمال ہونے والی عملی تکنیکوں پر بحث کی گئی ہے۔

بِس کا طریقہ

ٹھوس رد عمل میں ایک مستقل وولٹیج کا اطلاق ایک ڈبل پولڈ ٹرانسمیٹر (BJT) کی بنیاد پر کرنا شامل ہے. ایک مزاحمت کنندہ فراہم کرنے والا وولٹیج اور بنیاد کے درمیان جڑا ہوا ہے تاکہ کرنٹ کرنٹ کو مرتب کیا جا سکے یہ تکنیک معمولی ہے لیکن ٹرانسسٹر پیرامیٹر اور درجہ حرارت میں تبدیلی کے لیے حساس ہو سکتی ہے۔

وولٹیج کی نقل‌مکانی کرنے والے بیاس

وولٹیج تقسیم کنندہ دو مزاحمت کاروں کو ایک وولٹیج تقسیم شدہ ترکیب میں شامل کرنے والے ایک پائیدار وولٹیج کو ٹرانسسٹر کی بنیاد تک پہنچانے کے لیے استعمال کرتا ہے یہ طریقہ ٹرانسسٹر پیرامیٹرز اور درجہ حرارت میں تبدیلی کے خلاف بہتر استحکام فراہم کرتا ہے جس سے یہ زیادہ تر اطلاقات کے لیے موزوں ہوتا ہے۔

کلیدی اجزاء میں شامل ہیں:

  • بیس فہرستیں
  • Emitter مزاحمت (انگریزی: Esconditor for استقلال)
  • کیپ‌کی‌کی‌ٹن ( اے‌ایس پائیدار ) سے

فیلڈ-ایفیکٹ ٹرانسسٹر (Fetts) میں بیاسنگ (Baising in Field-Effec Transistors) -

FTS کے لیے، مطابقت پذیری میں گیٹ-source وولٹیج (V] قائم کرنے کے لیے جی ایس]، جی ایس ، جی این ایف اے کے لیے مقصدی سطح پر مزاحمتی عمل کو شامل کرنا یا پھر مخالف نقطہ کو کنٹرول کرنے کے لیے ایک مزاحمتی عمل کو شامل کرنا شامل ہے۔

عملی معاملات پر غور کریں

جب ٹرانس‌میٹر کی مزاحمت کی جاتی ہے تو درجۂ‌حرارت ، ٹرانس‌سٹر پیرامیٹر کی تبدیلی اور توانائی کو فرق‌فرق کرنے والی قوتِ‌شمسی پر غور کریں ۔