الیکٹرک انجینئری اصول
عملی ڈیزائن اصول برائے مُصفَصَّصِّص: تھیوری سے لے کر حقیقی دنیا کے اطلاقات تک
Table of Contents
MOSFTTS (Metal-Oxide-Semiculator Field-Effect Transistors) جدید الیکٹرانک سرکٹز میں ضروری اجزاء ہیں. عملی ڈیزائن اصولوں کو سمجھنا ان کی کارکردگی اور حقیقی دنیا کے اطلاقات میں قابل اعتماد بنانے میں مدد کرتا ہے. یہ مضمون مؤثر طریقے سے ڈیزائن کرنے کے لیے کلیدی غور و فکر کا احاطہ کرتا ہے۔
مُنادی کے کام کو سمجھنے کے لئے ضروری ہے
MoSFTSTs بطور وولٹیج-condered settlections یا structions. ان کا طرز عمل گیٹ-to-sur-sural vlage (V[PLT:1]) اور دوبارہ شروع کرنے کے لیے-PLT-sport-struction (VFLT:2) پر منحصر ہے. [VFLT2]. [S/TTTT]. [ موزوں طور پر اس کے استعمال کردہ اوزار کے اندر، مثلاً کو کام کرنے کے لیے استعمال کرنے والے آلات کو یقینی بنایا جاتا ہے
کلیدی تجاویز
جب مُو ایسفٹس کے ساتھ سرکٹ ڈیزائن کرنا کئی عملی عناصر کا اثر ہوتا ہے تو یہ بات واضح ہے :
- [Threshold Volage (V] [TH]]]: منتخب کرنے والے MOFTTSTSTS کو مناسب V TH میں مناسب تبدیلی یقینی بناتا ہے۔
- Gate trans Volage:] Adate gate Gateway Volage کو مکمل طور پر اوزار پر متوجہ کرنے، R [DS(on)۔
- Thermal Management: مناسب حرارتی دباؤ میں کمی بیشی اور طویل التعداد توانائی خارج کرتا ہے۔
- Parasitic Capacitances: Minmiming parasititic effect بہتر طور پر رفتار اور کارکردگی کو بہتر بناتے ہیں۔
- [Proution Circles: [1] انورپورنگ سنیبر یا ٹی وی ڈی وی ڈی کوڈ گارڈز کو وولٹیج کی حفاظت کے خلاف بنایا گیا۔
جگہ
مو ایس ایف ٹی کے مؤثر اطلاق میں محتاط سرکٹ سیٹ اور اجزاء کے انتخاب کا احاطہ کیا گیا ہے۔اپنی پیداوار میں کمی کے لیے ہائی رائز سے استعمال کریں راستوں کے لیے وسیع پیمانے پر استعمال کریں۔ مناسب گیٹ مزاحمت کنندہ کو عبوری عمل میں لانے کے لیے جگہ میں داخل کریں۔ مزید یہ کہ مناسب وولٹیج اور موجودہ شرحوں کے ساتھ آلات کا انتخاب کرنے کے لیے عملیاتی ماحول پر غور کریں۔