اسکالنگ ڈاؤن سیمیوشنر ٹرانسسٹر میں ہائی ٹیک ڈیلکلک کا کردار
Table of Contents
عبوری مینیاِلد کی ترقی
کئی دہائیوں سے ، نیمکل صنعت نے مور کے قانون کی پیروی کی ہے ، ٹرانسسٹرکچر کی کمی سے اب تک چھوٹے سے چھوٹے علاقوں میں زیادہ کمپیوٹرز کی طاقت کو ختم کر دیا ہے ۔
عبوری اشخاص میں ڈیاِلاِلاِناِلَیَّا کیوں
کُلوقتی خدمت
ایک دھاتی بند بند بند بند میدان میں داخل ہوتا ہے [MoSFTT)، دروازے کا اسٹاک ایک دھاتی الیکٹرو (یا بھاری) سے الگ ہوتا ہے
مسئلہ
جب SieO2 گہرے ہواؤں کو زیریں ~1.5 نینومیٹر نیچے گرائے جائیں تو براہ راست سرنگیں غیر متحرک ہو جاتی ہیں ۔ جب ٹرانسمیٹر کو ختم کرنا ، ضائع کرنا اور حرارت سے گزرنا مقصود ہو تو انڈسٹری کا جواب ایک ایسا مواد تلاش کرنا تھا جس کی قیمت [FT1] کے ساتھ ساتھ ایک گہری ہو سکتی تھی ۔
عام طور پر ہائی ٹیک دیلک اور ان کی خصوصیات ہیں۔
کلیدی مواد
جدید CMOS منطقۂ بالا میں سب سے زیادہ وصول شدہ اعلیٰ ترین مادہ ہیفنئم ڈائیسیس (HfO2) ہے ، جس میں تقریباً ۲۰–25 کے مقابلے میں موتیالک مسلسل اضافہ ہوتا ہے ۔
صرف ایک ادنیٰ مواد کیوں استعمال نہیں کریں ؟
اگر ایک کم سن ڈائیلک ڈائیلکلکلک کو کم کرنے کیلئے موٹیتر بنا دیا جائے ، توپھر کیپشنپس نیچے کی طرف جھک جائے اور ٹرانسسٹر تیزی سے تبدیلی کی صلاحیت کھو جائے ۔
اندرونی مشکلات : میٹل گیج اور ڈسکس
فون اور چارج کی جانچ کے مسئلے
سی او2 کے ساتھ English SO2 as high solc serect servancy sult serm. High ⁇ k masss rans by selicon the secrency states side by the side side s an ser provincencency of the struction. یہ structionstructionsssss کو پکڑ سکتے ہیں،
کام میں سرمایہ کاری انجینئری اور میٹل گیج کا کام
پولیمیليکل کے دروازے بہت سے بلند ہیں بہت سے بلندترین مادوں کے ساتھ جنکو کام کرنے کے لئے تیز رفتار سے استعمال کِیا جاتا ہے اور پھر اسکی وجہ سے اِسے حل کِیا جاتا ہے ۔
تکنیکوں کی صنعت
ایٹمی دُنیا ( ایل ڈی )
یہ فلم 300 وافر مقدار میں ایک اونی اور گہرائی سے بنی ہوئی ہے اور اس میں موجود خصوصیات کے ساتھ ساتھ ساتھ ( جیسا کہ انگریزی میں دستیاب ہے ) کے لئے ترجیحی سطح پر ترجیحی تبدیلی کا ترجیحی طریقہ ہے ۔
پوسٹجُلجُلنگ
ایل ڈی کے بعد ، ایک اعلیٰ ترین امپائرنگ مرحلہ (عام طور پر این 2 یا تشکیلی گیس میں)، فلم کو کم کرنے، کمیت کو کم کرنے اور کرسٹل کی صفائی کرنے کے لئے استعمال کیا جاتا ہے.
دوبارہ سے توازن اور ناقابلِبرداشت میکانیات
بی بی ٹی آئی
طویل گیٹ وولٹیج دباؤ کے تحت ، بھاریتر اسکی تہہ میں پھنس جانے والی چارج کی وجہ سے کمروں کی سطح میں آہستہ آہستہ تبدیلی آتی ہے ۔
Time ⁇ Decenent Diectric diseases (TDB)
اس کے علاوہ ، ایک عبوری نظام کی زندگی میں بھی ، ٹیڈیبی کی حدود ہوتی ہیں ۔
مستقبل کی ہدایتیں : کنونشن ہائیمُک سے باہر
فیرو الیکٹرک ایچ او2 اور منفی Capacitance ہیں۔
2010ء کی دہائی میں ایک غیر متوقع دریافت یہ تھی کہ کچھ کرسٹل لائن کے کچھ حصّے HfO2 (یاthorhombic) ظاہر کرتے ہیں کہ یہ دروازہ منفی Capicance transtors کی جانب کھلتا ہے، جہاں سے فریدی برق پاشی کو تبدیل کر سکتا ہے اور زیریں60 mV/destern sport (Bolectmann limit) کو پہلے ہی سے استعمال کیا جا رہا ہے، بالخصوص accuctionsss -
2D مادوں پر ہائی ٹیک
مُوس2 اور وِس2 جیسے دو مرکزی حصے حتمی چینلوں کی آخری تہ ( ایک ایٹمی تہہ ) کی طرف اشارہ کرتے ہوئے اور وعدہ کرتے رہے کہ ایک ایسی جگہ سے بھی زیادہ مقدار میں موجود ہے جہاں کوئی کمزور سطح کے بغیر مر جاتا ہے یا بہت سے متضاد مرکبات پیدا کئے بغیر کام کرنا مشکل ہے ۔
متبادل اعلیٰ ترین قندھاری (انگریزی:
مواد جیسے لالو 3، السیکن، اور بتی یو3 ان کی ممتاز اجازت نامہ یا ناول کی خصوصیات کے لیے زیر تحقیق ہیں۔ منطق کے لیے بنیادی مقصد EOT کے نیچے 0.5 nm پر زور دینا ہے اور یہ نہ صرف [FT1] [FTG]] [PCTG]] کے لیے درکار ہے بلکہ بڑے گروپ کے ساتھ ساتھ نہایت بڑا گروپ ہے۔
کُنَّا
ہائی جیک ڈائیلک ڈائیلکس محض ایک انکلیٹک بہتری نہیں ؛ وہ جدید نیم خود کار ٹیکنالوجی کے بنیادی قابل ہیں. سیو2 کے ساتھ ساتھ مواد کو تبدیل کرنے اور Zirconium diosis کے ساتھ ساتھ ساتھ، صنعت میں اضافہ کرتی رہتی ہے.