الیکٹرک اینڈمپ؛ الیکٹرانکس انجینئری؛
سمجھ بوجھ مُسفتہ کا Capacitance: ہائی رائز سے نیچے سویتچینگ کے لیے Calculations -
Table of Contents
مو ایس ایف ٹی کی کی Capacificance of OsFTHSTS کی ساخت کے لیے ضروری ہے کہ وہ سرکٹز کو ڈیزائن کریں جو ہائی رائز سے پھٹنے والی کارکردگی کی ضرورت ہو۔ درست حسابات کی مدد سے عمل میں بہتری لاتے ہیں اور توانائی کھونے میں کمی کرتے ہیں۔اس مضمون میں کلیدی تصورات اور حساب کے طریقوں کا جائزہ لینے کے لیے ایم ایس ایف ایف ایف کیپ کیپیشن سے متعلق ہے۔
مُضر قسم
MOSFTTS کے تین بنیادی مدارس ہیں : گیٹ-دو- سرسید(C) ]، گیٹ-پا-ڈیرین (CFLT:2]، اور ، [CFLT:3]، [FLT:T]، [حوالہ درکار]، [[1]]: [1]، زیادہ تر استعمال کے ساتھ تبدیل ہوتا ہے۔
کپللنگ گیٹ کی Capacitance
گیٹ-دو-مپیاٹ کیپیئنس (C]] گیجس کو استعمال کرتے ہوئے گیٹ آکسائیڈ کیپرینسی فی یونٹ (C [C] اور دروازہ (A:
C [gs] [1] C] [6] [[FLT]] [[FLT]] ]۔
جہاں C [6x حساب لگایا جاتا ہے اس طرح ہے:
C [6] [6] [حوالہ درکار] = [6] [[FLT]] / TT] / [FLT] [6]]]۔
سوشانگ کی رفتار پر قابو پانا
Capacitance sulding زمانے empting s رہنے والی empting emploing emplocity of MOSFTTHS. وقت مستقل ( ⁇ ) کی جانب سے دیا گیا ہے:
[1] = R× C
جہاں گردے میں مزاحمت ہوتی ہے ۔کم کیپرشن تیزی سے تبدیلی کے نتیجے میں پیدا ہوتی ہے ، جو ہائی پیڈ پر مبنی اطلاقات میں تنقیدی ہے۔
عملی نمونہ
[1] 3.9 × 8] [10] [10] [FLT]] کے ساتھ ایک گیٹ کے ساتھ ایک دروازہ آکسائیڈ کی موٹائی کے ساتھ دیا گیا 10٪
C [6] = (3.9 × 8.85 × 8]-12] / (2 × 10] ] = 1.72[1] [1][1][1][ 10] ==*
اے = 10 × 10 × 10 [1 × 10] -10 مُر [2][2]]۔
C [gs [1] 1.72 × 10-3] [1 × 10][حوالہ درکار]-10 = 1.72[10] = 1.72[10[FLT][13][ ربط :7]]][حوالہ درکار]]]]]]]۔