نیم‌گرم اوزاروں کی کارکردگی کو بہتر بنانے کیلئے سمجھ حاصل کرنا بہت ضروری ہے ۔

دواپنگ پروڈیوس کرنے والے تکنیک

دواپنگ کی پیمائش کے لیے مختلف تکنیکیں دستیاب ہیں، ہر ایک اپنے فوائد اور حدود کے ساتھ۔ عام طریقوں میں ثانوی ایوی ماس اسپیسکٹرٹری (SIMS)، مزاحمتی پرفیلنگ (SRP) اور الیکٹروکیمیکل کیپائکل کیولٹیج (ECV) پیمائش شامل ہیں۔

ثانوی آئین ماس سپیکٹررومری (SIMS) پر مشتمل ہے۔

اس میں بنیادی ion ion بار اور stronomy ثانوی inton کے ساتھ سطح کو روشن کرنے کا عمل شامل ہے لیکن تباہ‌کُن ہو سکتا ہے اور اس کے لئے اسکی ضرورت ہے کہ اسکی مدد سے اسکی سطح کو گہرے اُوپر سے حل کِیا جا سکے ۔

مزاحمت کرنا (ایس آر پی)

اس میں ماڈل سطح کے خلاف ایک پرو ڈاؤن کرنا اور گہرائی کے ساتھ مزاحمتی تبدیلیاں کرنا شامل ہے. ایس آر پی غیر جانبدار مگر اس کے مقابلے میں کم ہی ss-dustive حل فراہم کرتا ہے۔

Electrochemitic Capacitance-Volage (ECV) made -

ECV پرفیلنگ میں برقی تکنیکوں کو استعمال کیا جاتا ہے تاکہ وہ تنصیبی سطحوں کا تعین کرسکیں۔ اس میں ایک کیمیائی تہ تشکیل اور پیمائش کا عمل شامل ہے

  • مصر
  • مزاحمت کرنا (ایس آر پی)
  • Electrochemitic Capacitance-Volage (ECV)
  • ہال کے اثرات
  • Electrochemitic Capacitance-Volage (ECV)