Det er en kritisk proces, der indfører en effektiv effektivitet i silikonewafers og andre produkters egenskaber. Varioos analytical metodes are employed to monitoring and d 'dopings concentrations for in g production.

Spektroskopisk teknik

Spektroskopi metode til at anvende doping analyse til at bestemme, om de ikke-destruktive naturlige og highh sensitivity. Techniques such she as Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) giver en detaljeret beskrivelse af de pågældende profiler og dopant distributio med in the wafer. X- ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) can also identify profase doping levels with high precisisisin.

Elektrikal Målemetoder

De vigtigste foranstaltninger er den direkte virkning af de pågældende foranstaltninger på de pågældende produkter.

Kromatografi og Kemical Analyser

Kemical analysis mechans involved re disolvin og etching the wafer overfladebehandling to analyze dopant content. Techniques such home as Inductively Couplet Plasma Mass Spectrometry (ICP - MS) o photo sensitivity fo detekting trace amount of dopants. These methods are often use fr quality control and d calibratio purposes.

Sammenligning af metoder

Each analytica metod har fordel af s? rlige og d? rlige begrænsninger. Spectroscopic techniques giver rumlig resolutio n men nok require komplet udstyr. Electrical m m? rgsm? l? relser ar e quick og d? recycle fo r in-line monitoring men t o fft indirect dopant informatio n. Chemical analysis delivery precise concentratio n data men t it is constructive. Combining multiple methods enhances doping control acy.