Denne metode er en forenklet metode, der gør det muligt at analysere denne adfærd på mosfærekredsløb. Den giver en praktisk metode til vurdering af de forskellige operatio-

Understanding to Sichman- Hodges Model

Denne metode beskriver, at MOSFET 's udvikling er en funktion, der er en funktion, der er at give en voltagel, tærske voltage, og andre parametre.

Angivelse af Model in Circuit Analysis

Det er ikke muligt at foretage en sådan sammenligning, men det er nødvendigt at foretage en sammenligning mellem de to metoder.

Practical Insigts and d Limitations

Denne metode er ikke en egentlig metode, der kan anvendes til at måle de faktiske virkninger af de forskellige metoder.

  • Estimate the therold voltage exacately.
  • Afgør disse operating region before analysis.
  • Det er nødvendigt at foretage en passende sammenligning af de enkelte regioner.
  • Validate resulterer i, at man eksperimenterer med data, hvor man kan.