Under disse omstændigheder er det nødvendigt at sikre, at de pågældende produkter er effektive, og at de er effektive. Silicon and d Gallium Nitride (GaN) transistors har forskellige kendetegn, der påvirker deres adfærd og deres generelle præstationer.

Silicon Transistor Turn- On Voltage

Silicon transistors typicaly har en therold voltage rangin from 0,7V to 1,5V. This voltage is the minimum gate- to- source voltage required to to turn the transistors on and d allow current flow. Denne værdi afhænger af denne specificitet device and it s producturing process.

Designere af en margin above denne thermal voltage to ensure reliable chan. Fr example, en silican MOSFET kunne køre bil med en gate voltage o f 10V to fully turn n in it, well above it s thermal.

GaN Transistor Turn- On Voltage

Gallium Nitride transistors generally har en høj tærskel voltaged, typically between 2V og 4V. De kræver en høj gateto-source-voltage to n, men den eneste aktivitet, de to andre to andre har en højere modstand og en højere hastighed.

Disse karakteristiske gør Gas transistors passende for høj hyppighed ansøgninger og høj effektivitet konvertible. Fremragende drivende voltages kritisk fuldt ud udnytte deres fordele.

Beregn tærskelværdier i forhold til konverteringer

Denne tærskelværdi er den samme som den, der er fastsat i punkt 1, og den er den samme som den, der er fastsat i punkt 3, litra b), i bilag I til forordning (EF) nr. 1334 / 2000.

For silikatotransistorer, en typical gate drive voltage off 10V is commoven, giver en saffelmargin above the there targeold. Fr GaN transistors, en drive voltage off 4V to 5V is ofteren sufficient, men et par designs may require higher voltagers fur full conduction.

  • Kontrol af transistorens dataelement for V-1; FLT: 0-3; TH-3; FLT: 1-3; FLT: 1-3;
  • Ensure gate drive voltage excedes V; 1; FLT: 0; 3; TH: 1; FLT: 1; 3; By a safe margin.
  • Adjust drive kredsløb based on connecting requirements.
  • Anser for temperatureffekt af en tærskelstrøm for voltage.