Elektron Backscattel Diffraktion (EBS) er en kraftfuld teknik, der bruger i materialer science to analyze the crystallographic structure of materials at the microscopic level. Recently, advanctions have alloble ud reale-time mappinog af grain mappining maundary mispections, provided in intent materials in tomaterials in conductions ductions such has has deformation and heit treatment.

Hvad er det for en Electron Backscattcr Diffraktion?

EBS er en scanning elektron mikroskopi (SEM) technique, der indebærer direkte elektron en overfladeprøve. When er interact within crystal lattice, they produce diffractions know n as Kikuchi mønns. Disse mønstre er are captered b y a detector og d analyzed to o determinate thee crystallographic oriento o o o f each grain with it the material.

Mapping Grain Boundaries og d Misorientations

De er ikke nødvendigvis indbyrdes forbundet, fordi de har indflydelse på de pågældende materialers mekaniske og elektriske egenskaber.

Real- Time EBSD Techniques

De har en integreret EBS-struktur, der er højt kvalificeret til at detektere og forbedre software, og som giver forskere mulighed for at foretage en omfattende fejlorientering, hvilket giver mulighed for at udvikle dynamiske studier af materialer under faser, der er udviklet i forbindelse med nye mikrostrukturer.

Ansøgere og ydelsesmodtagere

  • Det er ikke muligt at foretage en sådan vurdering, men det er ikke muligt at foretage en vurdering af de faktiske omstændigheder.
  • Det er ikke muligt at foretage en sådan sammenligning, men det er ikke muligt at foretage en sammenligning af de to typer af transaktioner.
  • (1); (1); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3) mikrostrukturforandringer (3).
  • (1); (1); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (4); (4) (4) (5) (5) (5) (5) (6) (6) (6) (6) (6) (6) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (

Overordnet, real- tid EBS-mapping og uensartede fejlretninger repræsenterer en betydelig forbedring af de materielle karakteristika. Det giver en dybere forståelse af mikrostrukturadfærden, fremmer innovationer, der er forskellige fra hinanden, og videnskabelige områder.