Det er klart, at de interne og eksterne egenskaber er afgørende for, at de kan anvendes i elektronisk udstyr.

Intrinsic Properties of f Semiconductor

Intrinsic propertiees arte inchen to the pure interestror material. They include parameters such h as band gap energy, electron and hold concentrations, and d electrical conductivity. Thee propertiees can be measureed through various experimental techniques.

Metoder til bestemmelse af intrinsic properties

De interne egenskaber bestemmes ved følgende metoder og anvendelse:

  • (1); (1); (3); (3); (3); (3) Optikul Absorption Spectroscopy: (1); (3); (3); (3); (3) (3) (3) (4) (4) (5) (5) (5) (6) (6) (6) (6) (6) (6) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (
  • (1); (1); (3); (3); (3); (4) (5) (5); (5) (6) (6) (6) (6) (6) (6) (6) (7) (7) (7) (7) (7) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (8) (
  • Den samlede mængde af de enkelte produkter, der er omfattet af denne forordning, er på:

Ekstraherede produkter

Ekskl. de pågældende egenskaber, herunder dopants indflydelse på miljøet, typerne af den pågældende adfærd og ændringerne i den elektriske adfærd.

Metoder til bestemmelse af ekstraktionsmidler

Denne efterfølgende teknik er en brug af en extrinsic properties:

  • 1; 1; FLT: 0; 3; Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS): 1; FLT: 1; FLT: 3; Measures dopant concentratio og d distributio n med denne material.
  • (1); (1); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (4); (5); (5); (5); (5); (5); (5); (6); (6); (6).
  • (V) Profiling: (1) FLT: (3) Determines dopant profils and d concentratio n gradients.