Det er nødvendigt at vælge den mest hensigtsmæssige metode til at opnå en høj frekvens i ansøgningerne, og det er nødvendigt at sikre en effektiv og effektiv gennemførelse af disse.

Key Parameters fr MOSFET Selection

Severail parameters determine a MOSFET 's compleability fr high- frequentity concerning. Disse omfatter denne e gate charge, input capacitance, and d shanching speed. Lower gate charge and d input capacitance mable le le be fastre charge and d reduce power loss than ing operation.

Betydningen af karakteristika

Du kan vælge en MOSFET, hvis du betragter følgende karakteristika:

  • (1); (1); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (3); (4); (4); (5); (5); (5); (5); (5); (6); (6); (6); (6); (6); (6) (6); (6) (6) (6) (6) (6) (6) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (7) (
  • (') Se også "Fornyet undersøgelse af de forskellige former for støtte".
  • (') Se også de særlige bestemmelser i forordning (EØF) nr. 3975 / 87.
  • (1); FLT: 0; MST: 3; Maximum drain- source voltage (Vds): 1; FLT: 1; MST: 3; MST: 3; MUST exceed the maximum voltage in The credomit.
  • (') Den almindelige overenskomst om told og udenrigshandel (GATT), undertegnet i Bruxelles den 27. juni 1976.

Tilføjelse Tips for Høj- Frequency Applications

Use MOSFETs specielt designede til høj- speed ching, af typen labelet as quotes; RF mements; Or mements; high- frequent mements; MOSFETs. Propor layout techniques, såsom minimalt parasitic inductance og cain also improve ching performance.