Το άρθρο αυτό παρέχει μια κλιμακωτή μεθοδολογία για τον υπολογισμό και την εφαρμογή των κυκλωμάτων μεροληψίας σε ενισχυτές.

Κατανόηση Ενισχυτής Biasing

Η σωστή μεροληψία περιλαμβάνει την επιλογή κατάλληλων τιμών αντίστασης και πηγών τάσης για τον προσδιορισμό του επιθυμητού ποσίμου ρεύματος και τάσης.

Υπολογισμός για το Biasing

Το πρώτο βήμα είναι να προσδιοριστεί το επιθυμητό quiescent ρεύμα (I]Q[[LFT:1]]) και τάση (V[[LFT:2]]Q[[LFT:3]]) για το τρανζίστορ ή το σωλήνα. Χρησιμοποιώντας φύλλα δεδομένων συσκευών, προσδιορίστε τις παραμέτρους που απαιτούνται για τους υπολογισμούς.

Για ένα διπολικό τρανζίστορ διασταύρωσης (BJT), η προκατειλημμένη αντίσταση RB μπορεί να υπολογιστεί χρησιμοποιώντας:

RB = (VIN - VBE]) / IB[

όπου VIN είναι η τάση εισόδου, VBE[ είναι η τάση εμβολιστή βάσης, και IB είναι το βασικό ρεύμα, που προέρχεται από το I[C και το τρέχον κέρδος (hFE).

Βήματα εφαρμογής

Μόλις ολοκληρωθούν οι υπολογισμοί, συναρμολογήστε το δίκτυο που έχει μεροληπτική επίδραση στο κύκλωμα. Συνδέστε τις αντιστάσεις και τις πηγές τάσης σύμφωνα με τις υπολογισμένες τιμές. Χρησιμοποιήστε ένα πολύμετρο για να επαληθεύσετε τις τάσεις και τα ρεύματα στο σημείο μεροληψίας.

Ρυθμίστε τις τιμές αντίστασης εάν είναι απαραίτητο για να βελτιώσετε το σημείο μεροληψίας. Βεβαιωθείτε ότι ο ενισχυτής λειτουργεί εντός της γραμμικής περιοχής του και ότι το σημείο μεροληψίας παραμένει σταθερό σε σχέση με τις διακυμάνσεις της θερμοκρασίας.

Περίληψη των βασικών βημάτων

  • Καθορίστε το επιθυμητό quiescent ρεύμα και τάση.
  • Υπολογίστε τις τιμές αντιστάσεων με προκατόπτρες με βάση τις παραμέτρους της συσκευής.
  • Συγκεντρώστε το δίκτυο μεροληψίας στο κύκλωμα.
  • Επαλήθευση και ρύθμιση των σημείων με τα εργαλεία μέτρησης.
  • Να εξασφαλίζεται σταθερότητα έναντι της θερμοκρασίας και των διακυμάνσεων του φορτίου.