Η μέτρηση των παραμέτρων MOSFET με ακρίβεια είναι απαραίτητη για το σχεδιασμό και τη δοκιμή ηλεκτρονικών κυκλωμάτων. Διάφορες μέθοδοι χρησιμοποιούνται στο εργαστήριο για τον καθορισμό βασικών χαρακτηριστικών όπως η τάση κατωφλίου, η μετααγώγηση και το ρεύμα αποστράγγισης.

Μέτρηση της Όριο Τάσης

Η τάση κατωφλίου (Vth]) είναι η ελάχιστη τάση πύλης προς πηγή που απαιτείται για να ενεργοποιηθεί το MOSFET. Για τη μέτρηση του, μια απλή ρύθμιση περιλαμβάνει την εφαρμογή τάσης διαρροής-πηγής και τη σταδιακή αύξηση της τάσης πύλης ενώ την παρακολούθηση του ρεύματος αποστράγγισης. Το Vth προσδιορίζεται στο σημείο όπου το ρεύμα αποστράγγισης αρχίζει να αυξάνεται σημαντικά.

Καθορισμός της Μετααγώγησης

Η μετααγωγικότητα (gm]) δείχνει πόσο αποτελεσματικά ελέγχει η τάση της πύλης το ρεύμα της αποχέτευσης. Υπολογίζεται μετρώντας την αλλαγή του ρεύματος της αποστράγγισης σε σχέση με την αλλαγή της τάσης της πύλης σε σταθερή τάση της διαρροής-πηγής. Χρησιμοποιώντας έναν ιχνηθέτη καμπύλης ή έναν αναλυτή παραμέτρου απλοποιεί αυτή τη διαδικασία, παρέχοντας ακριβείς τιμές gm.

Μέτρηση ρεύματος στραγγαλισμού

Η μέτρηση του ρεύματος αποστράγγισης (I]D] περιλαμβάνει την εφαρμογή μιας γνωστής τάσης διαρροής-πηγής και τη μεταβολή της τάσης της πύλης. Χρησιμοποιώντας μια μονάδα πηγαίου μέτρου ή έναν αναλυτή παραμέτρου ημιαγωγών επιτρέπει ακριβείς μετρήσεις ρεύματος. Η υλοτομία I[D έναντι της VGS[ και VDS βοηθά στην εξαγωγή διαφόρων παραμέτρων όπως το ρεύμα κορεσμού και την κινητικότητα.

Πρόσθετες μέθοδοι δοκιμής

Άλλες μέθοδοι περιλαμβάνουν μετρήσεις της τάσης χωρητικότητας (C-V) για προφίλ ντόπινγκ και ανάλυση κλίσης υποθόλου για την ποιότητα της συσκευής.