Η μέτρηση των χωρητικών ουσιών των MOSFET σε πραγματικά κυκλώματα είναι απαραίτητη για την κατανόηση της συμπεριφοράς και της απόδοσης τους. Οι ακριβείς μετρήσεις βοηθούν στο σχεδιασμό και την αντιμετώπιση προβλημάτων ηλεκτρονικών συστημάτων.

Κατανόηση των Ικανοτήτων του MOSFET

Τα MOSFET έχουν αρκετές παρασιτικές χωρατοποσίες, συμπεριλαμβανομένων των θυρών προς πηγή, πύλη προς αποχετεύσεις και αποστράγγιση προς αποχετεύσεις. Αυτές οι χωροταξικές ουσίες επηρεάζουν την ταχύτητα μεταγωγής και την απόκριση συχνότητας της συσκευής. Η μέτρηση τους σε ένα κύκλωμα απαιτεί συγκεκριμένες τεχνικές για την απομόνωση και τον ποσοτικό προσδιορισμό κάθε συστατικού.

Χρήση μετρητή LCR

Για να το κάνετε αυτό, αποσυνδέστε το MOSFET από το κύκλωμα ή βεβαιωθείτε ότι είναι σε ασφαλή κατάσταση. Συνδέστε το μετρητή σε όλους τους τερματικούς σταθμούς ενδιαφέροντος, όπως πύλη και πηγή, και καταγράψτε τις ενδείξεις. Αυτή η μέθοδος παρέχει μια γρήγορη εκτίμηση των παρασιτικών ιδιοτήτων.

Μέτρηση χωρητικότητας με παλμογράφο

Ένα παλμογράφο μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τη μέτρηση των χωρητικών του MOSFET εφαρμόζοντας ένα γνωστό βήμα τάσης στην πύλη και παρατηρώντας την καμπύλη φόρτισης. Η χρονική σταθερά της διαδικασίας φόρτισης σχετίζεται με την χωρητικότητα και την αντίσταση στο κύκλωμα. Χρησιμοποιώντας τον τύπο C = t / R, όπου το t είναι η σταθερά χρόνου, και R είναι η αντίσταση, η ικανότητα μπορεί να υπολογιστεί.

Πρόσθετες τεχνικές

Άλλες μέθοδοι περιλαμβάνουν τη χρήση ενός αναλυτή δικτύου ή εξειδικευμένου εξοπλισμού δοκιμών που έχει σχεδιαστεί για μετρήσεις υψηλής συχνότητας. Αυτές οι τεχνικές είναι πιο σύνθετες αλλά προσφέρουν υψηλότερη ακρίβεια, ειδικά για εφαρμογές μεταγωγής υψηλής ταχύτητας.