Επιλέγοντας το σωστό MOSFET για τα ηλεκτρονικά σχέδια υψηλής απόδοσης απαιτεί την κατανόηση της αντοχής του (Rds(on). Αυτή η παράμετρος επηρεάζει την απώλεια ισχύος και τη θερμική απόδοση.

Κατανόηση της αντίστασης MOSFET

Η αντίσταση είναι η αντίσταση μεταξύ των τερματικών απορροής και πηγής όταν το MOSFET είναι πλήρως ενεργοποιημένο. Είναι ένας κρίσιμος παράγοντας στις εφαρμογές μεταγωγής ισχύος, που επηρεάζουν τις απώλειες αγωγιμότητας και την παραγωγή θερμότητας.

Πώς να μετρήσετε Rds (on)

Η μέτρηση Rds (on) περιλαμβάνει την εφαρμογή μιας καθορισμένης τάσης πύλης για να ενεργοποιήσετε πλήρως το MOSFET και τη μέτρηση της πτώσης τάσης σε όλη την διάρκεια της, ενώ περνά ένα γνωστό ρεύμα. Η αντίσταση υπολογίζεται χρησιμοποιώντας το νόμο του Ohm:

Rds(on) = πτώση τάσης / ρεύμα ρέγγας

Παράγοντες που επηρεάζουν τις τιμές Rds( on)

Αρκετοί παράγοντες επηρεάζουν τα Rds(on) ενός MOSFET, συμπεριλαμβανομένων:

  • Τάση από πύλη σε πηγή (Vgs)
  • Θερμοκρασία
  • Μεταποιητικές παραλλαγές
  • Γήρας συσκευής

Είναι σημαντικό να ληφθούν υπόψη αυτοί οι παράγοντες κατά τη διάρκεια των δοκιμών για να εξασφαλιστεί η ακρίβεια και η αξιοπιστία Rds (on) μετρήσεις για εφαρμογές υψηλής απόδοσης.