Η κατανόηση της διασποράς ισχύος στα MOSFETs κατά τη διάρκεια της μεταγωγής υψηλής συχνότητας είναι απαραίτητη για το σχεδιασμό αποδοτικών ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.

Βασικά της Διανομής Ενέργειας σε MOSFETs

Η απώλεια της αγωγιμότητας συμβαίνει όταν η συσκευή βρίσκεται σε κατάσταση λειτουργίας, ενώ η απώλεια μεταγωγής συμβαίνει κατά τη μετάβαση μεταξύ των καταστάσεων εντός και εκτός λειτουργίας.

Υπολογισμός Απώλειες Διεξαγωγής

Η απώλεια αγωγιμότητας μπορεί να εκτιμηθεί χρησιμοποιώντας τον τύπο:

Pcond = Iload[2] × RDS(on)

όπου Iload είναι το ρεύμα φορτίου και RDS(on) είναι η αντοχή του MOSFET.

Υπολογισμός των απωλειών αλλαγής

Οι απώλειες αλλαγής εξαρτώνται από την τάση, το ρεύμα και τους χρόνους αλλαγής. Ο κατά προσέγγιση τύπος είναι:

P switch[ = 0.5 × VDS × Iload × [t]rise[ + tfall] × f sw]

όπου VDS είναι η τάση διαρροής-πηγής, trise[] και tfall] είναι η άνοδος και η πτώση χρόνους, και fsw είναι η συχνότητα μεταγωγής.

Συνολική Διανομή ενέργειας

Η συνολική διασπορά ισχύος είναι το άθροισμα των απωλειών αγωγιμότητας και μεταγωγής:

Pσύνολο = Pcond + P switch

Συμπληρωματικές παρατηρήσεις

Παράγοντες όπως η θερμοκρασία της συσκευής, η φόρτιση της πύλης και η διάταξη μπορούν να επηρεάσουν τη διασπορά ισχύος.