تجزیه و تحلیل کوچک نشانه یک روش اساسی است که در طراحی و تجزیه و تحلیل ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) تقویت کننده استفاده می شود.این روش ساده سازی رفتار پیچیده ترانزیستورها با خطی کردن عملیات خود در اطراف یک نقطه سوگیری، امکان محاسبه آسان تر از به دست آوردن، ورودی و عدم بهره برداری خروجی ضروری است.

درک مدل های کوچک-Signal Model

مدل کوچک علامت جایگزین BJT با اجزای خطی معادل است که رفتار آن را برای تغییرات ورودی کوچک تقریبی می کند. پارامترهای کلیدی شامل انتقال (gm) و مقاومت خروجی (ro) هستند که این پارامترها از نقطه سوگیری ترانزیستور مشتق شده و برای تجزیه و تحلیل پاسخ تقویت کننده به سیگنال های ورودی استفاده می شود.

تکنیک های محاسبه

محاسبات شامل جایگزینی BJT با مدار معادل کوچک و استفاده از روش های تجزیه و تحلیل مدار است. گام های اصلی شامل تعیین نقطه سوگیری، محاسبه gm و رول و سپس تجزیه و تحلیل مدار برای پیدا کردن ولتاژ به دست آوردن، نفوذ ورودی و عدم بهره برداری خروجی است.

پارامترهای کلیدی

  • انتقال (gm): محاسبه شده به عنوان Ic تقسیم شده توسط Vt، که Ic در آن سوگیری جمع آوری کننده فعلی و Vt ولتاژ حرارتی (~25mV در دمای اتاق).
  • مقاومت در برابر (ro): به طور معکوس متناسب با جریان جمع آوری و اثر اولیه، اغلب به عنوان V A تقسیم شده توسط Ic، که V A ولتاژ اولیه است.
  • [[۱] [۱۰] مقاومت در برابر (rπ): [۱۰] [۱۰] برابر با β تقسیم شده توسط gm، که در آن β سود فعلی است.

استفاده از محاسبات

هنگامی که پارامترهای تعیین می شوند، آنها برای تجزیه و تحلیل مدار تقویت کننده استفاده می شوند.به عنوان مثال، سود ولتاژ (Av) می تواند به عنوان gm ضرب شده توسط مقاومت بار بار محاسبه شود و کمبود خروجی بر اساس مدار معادل کوچک علامت گذاری شده محاسبه می شود، کمک در تطبیق و ملاحظات ثبات.

خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه

تجزیه و تحلیل کوچک نشانه ای یک رویکرد سیستماتیک برای طراحی تقویت کننده های کارآمد BJT فراهم می کند.با محاسبه پارامترهای کلیدی و استفاده از مدل های مدار معادل، مهندسان می توانند رفتار تقویت کننده را پیش بینی کرده و عملکرد را به طور موثر بهینه سازی کنند.