تقویت کننده های ترانسیستور، به ویژه کسانی که از ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (BJTs) استفاده می کنند، در مدارهای الکترونیکی پایه گذاری شده اند. دستیابی به ولتاژ مطلوب شامل درک اصول طراحی کلیدی و استفاده از تکنیک های عملی است.این مقاله مفاهیم ضروری برای بهینه سازی BJT را بررسی می کند.

درک ولتاژ BJT به دست آوردن

افزایش ولتاژ یک تقویت کننده BJT نسبت تغییر ولتاژ خروجی به تغییر ولتاژ ورودی است. بستگی به ویژگی های ترانزیستور و اجزای مدار اطراف دارد. سوگیری مناسب و انتخاب بار برای به حداکثر رساندن سود در حالی که حفظ ثبات است، بسیار مهم است.

اصول طراحی برای بهینه سازی

اصول کلیدی شامل انتخاب نقاط سوگیری مناسب برای اطمینان از اینکه ترانزیستور در منطقه فعال خود عمل می کند، استفاده از مقاومت بار بالا باعث افزایش ولتاژ می شود، اما ممکن است پهنای باند را کاهش دهد.افزایش ولتاژ کم جمع کننده و به حداقل رساندن خازن انگل نیز به دست آوردن بالاتر کمک می کند.

تکنیک های عملی و نمونه ها

پیاده سازی خازن ها در سراسر مقاومت های فرستنده می تواند با کاهش بازخورد منفی، با استفاده از پیکربندی رایج و ضعیف با مقاومت بار جمع آوری بالا برای دستیابی به افزایش ولتاژ بالا، به عنوان مثال، یک مدار با مقاومت جمع آوری شده از 10kΩ و یک ترانزیستور به درستی تعصب می تواند به دست آوردن ولتاژ بیش از 50 بار.

  • سوگیری مناسب در منطقه فعال
  • انتخاب مقاومت های بار بالا
  • استفاده از Razor خازنs
  • مینیمال انگلی
  • تضمین ثبات حرارتی