تجزیه و تحلیل مدارهای BJT (B Junction Transistor) شامل درک هر دو اصول نظری و روش های آزمایش عملی است. ترکیب این روش ها به اطمینان از تشخیص دقیق و طراحی مدار موثر کمک می کند.

بنیادهای نظری BJT Circuits

BJT یک دستگاه کنترل شده فعلی است که برای تقویت و تغییر استفاده می شود. عملیات آن بستگی به سوگیری اتصال آن دارد که تعیین می کند که آیا آن در حالت برش، فعال یا اشباع است.

در این میان، پارامترهای کلیدی شامل جمع آوری جریان (I ، جریان پایه (I) و ولتاژ گردآورنده (VCE ) می باشد.

تکنیک های تست عملی

تست یک مدار BJT شامل اندازه گیری ولتاژ و جریان در نقاط مختلف است.استفاده از چند متر، تکنسین ها ولتاژ های سوگیری را تأیید می کنند و برای عملیات مناسب بررسی می شوند.

تست های مشترک شامل:

  • و در این میان، در این زمینه، به صورت زیر به صورت زیر به صورت زیر به کار می رود.
  • بررسی و بررسی ظرفیت های سنگین (V
  • در این باره می گویم: «من [در این باره] [مشرکان] [مشرکان] [مشرکان] [مشرکان] [و [مشرکان]] [و [مشرکان]] [و [به]]]] [مزامیر [و]] [مزامیر] [و] [مشرکان] [و [مشرکانه: ] [و [و] [و [و [و] [به] [به] [و [و [و] [به [و]]] [و [به [به [و]]]]]] [به [و [و [و [و [و]]]]]]] [به [و [و [به [به [به [به [به [و [و [به [به [به [و [و [و [و]]]]]]]]] [به [به [به [به [به [به [و]]]]]]]]]] [به [به [و [به [و [و [و [و [به [به [به [به [به [به [به [به [به [به [
  • بررسی ارزش های مقاومت کننده سوگیری

ترکیب تئوری و آزمایش

تجزیه و تحلیل موثر شامل مقایسه مقادیر اندازه گیری شده با پیش بینی های نظری است. Discrepancies می تواند اجزای معیوب یا سوگیری نادرست را نشان دهد.

به عنوان مثال، اگر V به طور قابل توجهی متفاوت از انتظار 0.6-0.7V، ترانزیستور ممکن است آسیب دیده یا به طور نادرستی نسبت به مقاومت های ضد شورش می تواند عملیات مناسب را بازیابی کند.