اندازه گیری تحرک حامل در نیمه هادی ها برای درک خواص الکتریکی آن ها ضروری است. تکنیک های اندازه گیری دقیق به توسعه و بهینه سازی دستگاه های الکترونیکی کمک می کنند. چندین روش برای تعیین اینکه چگونه سریع حامل ها در داخل یک ماده حرکت می کنند، استفاده می شود.

اندازه گیری اثر هال

اثر هال یک تکنیک به طور گسترده ای برای اندازه گیری تحرک حامل است، شامل استفاده از یک میدان مغناطیسی به طور خاص به جریان فعلی در نیمه هادی است. ولتاژ هال نتیجه متناسب با غلظت حامل و تحرک است.

این روش اطلاعات مستقیم در مورد نوع حامل و تحرک را فراهم می کند.این برای فیلم های نازک و مواد عمده مناسب است و معمولا در آزمایشگاه های تحقیقاتی استفاده می شود.

روش زمان-of-Flight Method

تکنیک زمان پرواز (TOF) زمان حمل و نقل حامل ها را در یک نمونه تحت یک میدان الکتریکی کاربردی اندازه گیری می کند. پالس های لیزر کوتاه حامل را تولید می کنند و حرکت آنها در طول زمان ردیابی می شود.

این روش برای مواد با قابلیت بالا موثر است و اطلاعات مربوط به پویایی حامل را فراهم می کند.این امر نیازمند تجهیزات تخصصی است و اغلب در تنظیمات پیشرفته تحقیقاتی استفاده می شود.

روش Transistor Field-Effect Transistor (FET)

تحرک حامل همچنین می تواند از ویژگی های الکتریکی ترانزیستورهای اثرات میدان استخراج شود.با تجزیه و تحلیل منحنی انتقال و خروجی، تحرک حامل های شارژ در کانال می تواند محاسبه شود.

این تکنیک برای ساخت و آزمایش دستگاه نیمه هادی عملی است.این اطلاعات تحرک مربوط به شرایط عملیاتی واقعی دستگاه را فراهم می کند.

  • اندازه گیری اثر هال
  • روش زمان-of-Flight Method
  • روش Transistor Method