مهندسی شکاف باند شامل تغییر خواص الکترونیکی مواد برای دستیابی به توابع مطلوب است.این در توسعه نیمه هادی ها، دستگاه های الکترونیکی و سلول های خورشیدی ضروری است.این مقاله تکنیک های عملی و محاسبات مورد استفاده در مهندسی شکاف گروه را بررسی می کند.

تکنیک های مهندسی باند Gap

چندین روش برای تغییر شکاف باند مواد استفاده می شود.این شامل دوپینگ، کاربرد سویه و سلول کوانتومی است.هر تکنیک ساختار الکترونیکی را تنظیم می کند تا خواص مواد را برای کاربردهای خاص تنظیم کند.

تکنیک های عملی

دوپینگ ناخالصی ها را به یک ماده معرفی می کند تا خواص الکتریکی خود را تغییر دهد، به عنوان مثال، اضافه کردن فسفر به سیلیکون نیمه هادی های نوع n با شکاف باند باریک تر ایجاد می کند Strain Engineering [FLT3) شامل استفاده از تغییر شکل مکانیکی برای تغییر فاصله اتمی است که بر ساختار گروه تأثیر می گذارد.

محاسبه در گروه Gap Engineering

محاسبات اغلب شامل مدل سازی ساختار گروه های الکترونیکی با استفاده از روش هایی مانند تئوری تابع چگالی (DFT) است که انرژی شکاف گروه (Eg) می تواند با تجزیه و تحلیل چگالی الکترونیکی دولت ها یا استفاده از فرمول های تجربی تخمین زده شود.

[nano] = Eg (bulk) + ( ⁇ 2π2) / (2R2) * (1 /me + 1 / mh)

[در این میان] [و [از این رو] [و [از این رو] [به] [و [از این رو] [و [از این رو] [و [از این رو] [و]] [از [و]]] [و]] [و] شکاف [مشرکان] [و] [و] [و]] [و [و [و]] [و [و [و [و]]]]]] [و [و [و [و [و [و [و [از [و]]]]]]]]]]]]]]] [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و [و]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [و [و [و [و [و [و [و [و [و [از [از [از [و [از [از [و [و [از [

خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه

مهندسی شکاف باند ترکیبی از تکنیک ها و محاسبات مختلف برای تغییر خواص الکترونیکی مواد است. درک این روش ها طراحی دستگاه های الکترونیکی پیشرفته و الکترونیک را فعال می کند.