حالت های رابط در نیمه هادی ها سطح انرژی الکترونیکی هستند که در مرز بین مواد نیمه هادی و یک عایق یا سایر مواد قرار دارند.این ایالت ها می توانند حامل های شارژ را به دام بیندازند و عملکرد دستگاه را تحت تاثیر قرار دهند و درک کنند که چگونه این حالت ها را اندازه گیری و کاهش دهند برای بهبود قابلیت اطمینان دستگاه نیمه هادی و بهره وری ضروری است.

اندازه گیری کشورهای رابط

چندین تکنیک برای اندازه گیری حالت های رابط استفاده می شود، از جمله اندازه گیری های خازن (C-V) و طیفوسکوپی در سطح عمیق (DLTS) این روش ها به تعیین چگالی و توزیع انرژی حالت های رابط کمک می کند.

اندازه گیری های خازن شامل استفاده از ولتاژ به یک دستگاه و تجزیه و تحلیل تغییرات اسیدی نتیجه می شود. تنوع در خازن نشان دهنده حضور تله های رابط است. DLTS تغییرات خازن گذرا ناشی از تله و انحراف، ارائه اطلاعات سطح انرژی دقیق.

استراتژی های برای مییگation

حالت های رابط مییگating شامل passivation سطح، انتخاب مواد و بهینه سازی فرایند است. لایه های Passivation، مانند دی اکسید سیلیکون یا نیتید سیلیکون، کاهش پروتزهای تله در رابط. تکنیک های تمیز کردن مناسب و ساخت و ساز نیز به حداقل رساندن تشکیل فرار.

استفاده از مواد با کیفیت بالا و شرایط پردازش کنترل شده می تواند به طور قابل توجهی تعداد کشورهای رابط را کاهش دهد که منجر به بهبود عملکرد دستگاه و طول عمر می شود.

مواد و تکنیک های مشترک

  • دی اکسید سیلیکون (SiO2)
  • نیتید سیلیکون (Si3N4) لایه های
  • تمیز کردن سطح با HF etching
  • فرایندهای حرارتی اکسیداسیون
  • بهینه سازی درمان های ⁇