Table of Contents
درک طول عمر حامل اقلیت در کپسول سیلیکون برای بهینه سازی عملکرد دستگاه های نیمه هادی ضروری است. چندین روش عملی برای اندازه گیری این عمرها استفاده می شود، ارائه بینش ارزشمند در مورد کیفیت مواد و بهره وری دستگاه.
روش Photoance Decay Method
روش تخریب فوتون شامل روشن کردن فروریزی سیلیکون با یک پالس نور و اندازه گیری زوال جریان عکس نتیجه می شود. نرخ پوسیدگی با طول عمر حامل اقلیت مرتبط است.این تکنیک به طور گسترده ای استفاده می شود زیرا اندازه گیری های سریع و غیر مخرب را فراهم می کند.
دانلود فیلم Time-Resolved Photolumines
نور زمان حل شده (TRPL) recombination of Carrier ها را با تشخیص نور منتشر شده پس از نقل اندازه می کند. ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
تکنیک عکس برداری مایکروویو
این تکنیک از سیگنال های مایکروویو برای تشخیص تغییرات در هدایت سیلیکون پس از تحریک نوری استفاده می کند، اندازه گیری بی تماسی از عمر حامل اقلیت را فراهم می کند و برای کاهش با هندسه های پیچیده مفید است.
ملاحظات اضافی
عوامل مانند ادغام سطح، سطوح دوپینگ و خلوص استنتاج بر طول عمر اندازه گیری شده تأثیر می گذارند. کالیبراسیون مناسب و درک این عوامل برای نتایج دقیق ضروری است. ترکیب روش های متعدد همچنین می تواند قابلیت اندازه گیری را بهبود بخشد.