درک پتانسیل داخلی در اتصالات نیمه هادی برای طراحی و تجزیه و تحلیل دستگاه های الکترونیکی ضروری است.این مقاله روش های عملی را برای تعیین دقیق این پارامتر مهم بررسی می کند.

روش 1: اندازه گیری خازن-Voltage (C-V)

اندازه گیری C-V شامل تجزیه و تحلیل منطقه depletion از دیود است.با استفاده از یک سوگیری معکوس و اندازه گیری خازن، پتانسیل داخلی را می توان با استفاده از رابطه محاسبه کرد:

V bi = (kT/q) * ln (N A * N D / n i^2) + V R[[[ویرایش]

در جایی که V bi پتانسیل داخلی است، N A و N D غلظت های دوپینگ را دارند، n i غلظت حامل ذاتی است، V R سوگیری معکوس اعمال شده است و دیگر نمادها معانی معمول خود را دارند.

روش دوم: Open-Circuit Unit Method

این روش ولتاژ اتصال باز (V OC) یک دیود تحت نور را اندازه گیری می کند. V OC با پتانسیل داخلی معادله مرتبط است:

[[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۳] [۳] [۳] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۱] [۲] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲]

در اینجا، I L جریان عکس است و I 0 جریان اشباع است.با اندازه گیری V OC و دانستن ارزش های فعلی، V bi می تواند تخمین زده شود.

روش 3: Electroluminescence و Photoluminescence

روش های نوری شامل تجزیه و تحلیل طیف انتشار اتصال است. طول موج انتشار اوج مربوط به شکاف انرژی است که می تواند برای تعیین پتانسیل داخلی به طور غیرمستقیم استفاده شود.

این روش ها برای موادی که اندازه گیری های الکتریکی به چالش کشیده می شوند، مفید هستند.

خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه

  • اندازه گیری خازن-Voltage
  • روش ولتاژ باز-Circuit
  • تحلیل انتشار نوری