Table of Contents
نیمه هادی های دوپینگ شامل معرفی ناخالصی ها برای تغییر خواص الکتریکی است، این فرآیند برای ایجاد اجزای الکترونیکی مانند دیود و ترانزیستورها ضروری است.
بنیادهای نظری دوپینگ
هدف اولیه دوپینگ تغییر غلظت حامل شارژ در نیمه هادی است. N-type doping عناصر را با الکترون های اضافی مانند فسفر در سیلیکون معرفی می کند، در حالی که دوپینگ نوع p عناصر را با الکترون های کمتری مانند boron اضافه می کند. این ناخالصی ها حامل های آزاد ایجاد می کنند که هدایت را افزایش می دهند.
محاسبه برای تمرکز دوپینگ
محاسبه سطح دوپینگ مناسب شامل درک ویژگی های الکتریکی مطلوب و خواص مواد است. غلظت dopants به طور معمول در اتم ها در هر سانتی متر مکعب بیان می شود. سطح فرمی بسته به سطوح دوپینگ، تاثیر رفتار دستگاه.
برنامه های کاربردی Doped Semiconductors
نیمه هادی های دودویی در دستگاه های مختلف الکترونیکی استفاده می شوند.
- دانلود آهنگ های اصلاح
- ترانسیست ها برای تغییر و تقویت
- سلول های خورشیدی برای تبدیل انرژی
- دیودهای نور- انتشار (LEDs)