Table of Contents
سرعت تغییر ترانسیستور یک عامل مهم در عملکرد مدار الکترونیکی است.تغییر سریع اجازه می دهد تا برای عملیات فرکانس بالاتر و بهبود بهره وری، این مقاله روش های عملی برای افزایش سرعت تغییر ترانزیستورها را بررسی می کند.
کاهش توانایی های انگلی
خازن بین پایانه های ترانزیستور و اجزای اطراف می تواند تغییر کند.به حداقل رساندن این خازن شامل طرح PCB دقیق، مانند افزایش فاصله بین ترانزیستورها و سایر اجزای و استفاده از ردهای کوتاه تر و گسترده تر است.
بهینه سازی ولتاژ Drive
استفاده از ولتاژ درایو بالاتر می تواند میزان شارژ / ⁇ ترانزیستور را افزایش دهد که منجر به تغییر سریع تر می شود، با این حال، ضروری است که در حداکثر رتبه بندی دستگاه باقی بماند تا از آسیب جلوگیری کند.استفاده از مدارهای راننده مناسب، کاربرد ولتاژ کارآمد را تضمین می کند.
پیاده سازی مناسب Gate/Base Drive Techniques
تعویض سریع نیاز به درب قوی و سریع یا سیگنال های درایو پایه دارد. تکنیک ها شامل استفاده از راننده اختصاصی IC ها، استخدام تنظیمات فشار و اطمینان از اتصالات کم انعقاد برای تحویل سریع شارژ و چرخه های تخلیه.
استفاده از انواع مناسب Transistor
انتخاب ترانزیستورها با شارژ پایین دروازه و انتقال بالا می تواند به طور قابل توجهی سرعت تغییر را بهبود بخشد، نمونه ها شامل تخلیه با مشخصات شارژ پایین دروازه و BJTs طراحی شده برای عملیات با سرعت بالا.