تغییرات دما می تواند به طور قابل توجهی بر عملکرد ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (BJTs) تاثیر بگذارد که مدارهای طراحی را جبران می کند که ثبات و قابلیت اطمینان را در سیستم های الکترونیکی تضمین می کند.این مقاله اصول و رویکردهای عملی برای ایجاد مدارهای BJT درجه حرارت را بررسی می کند.

درک اثرات دمای BJT

BJTs حساس به تغییرات دما است که پارامترهای نفوذ مانند افزایش فعلی و ولتاژ اشباع را تحت تاثیر قرار می دهد، زیرا دما افزایش می یابد، جریان جمع آوری تمایل به افزایش، به طور بالقوه باعث بی ثباتی مدار می شود.

اصول جبران خسارت دما

جبران دما شامل استفاده از عناصر مدار است که با رفتار وابسته به دما BJT مقابله می کند. روش های مشترک شامل استفاده از اجزای حرارتی با هم، اضافه کردن شبکه های سوگیری، یا ادغام عناصر حساس به دما که تغییرات ترانزیستور را جبران می کنند.

تکنیک های جبران خسارت عملی

چندین تکنیک در عمل برای دستیابی به ثبات دما استفاده می شود:

  • جبران خسارت های مختلف: استفاده از دیود با ویژگی های دمای مشابه به BJT در شبکه های تعصب.
  • اتصال مستقیم ، قرار دادن اجزای BJT و حساسیت به دما نزدیک به هم برای اطمینان از آنها همان دما.
  • استفاده از شبکه های جبران خسارت؛ [FLT 1] در شرکت کنندگان و خازن های طراحی شده برای جبران اثرات دما.
  • انتخاب اجزای پایدار؛ [FLT 1] انتخاب BJTs و اجزای منفعل با حداقل ضریب دما.