متال-Oxide-Semierator Field-Effect Transistors (MOSFETs) به طور گسترده در مدارهای الکترونیکی برای تغییر و تقویت استفاده می شود، با این حال، آنها می توانند به دلایل مختلف شکست بخورند، که منجر به درک حالت شکست رایج و راهنمایی های عیب یابی عملی می تواند در تشخیص و حل مسائل موثر کمک کند.

علل رایج شکست های ناشی از فوت

شکست در قطعات اغلب ناشی از استرس الکتریکی، مسائل حرارتی یا نقص های تولید است. Overvoltage یا جریان بیش از حد می تواند به لایه اکسید دروازه آسیب برساند، و باعث می شود دستگاه به نقص در دمای بالا نیز می تواند مواد نیمه هادی را در طول زمان کاهش دهد، که منجر به شکست می شود.

نکات عیب یابی عملی

برای تشخیص شکست های ناشی از فوت، با بازرسی بصری دستگاه برای آسیب فیزیکی مانند ترک ها یا علامت های سوختگی شروع کنید.از چند متر برای بررسی منبع تخلیه و مقاومت در منبع، استفاده کنید.یک مدار کوتاه نشان دهنده یک خروجی شکست خورده است، در حالی که یک مدار باز نشان می دهد که ممکن است منفجر یا قطع شود.

اطمینان حاصل کنید که مدار قبل از تست کردن، پردازش می شود، خواندن را با مشخصات برگه مقایسه کنید، اگر گمان می رود که این خروجی نادرست باشد، آن را با یک جزء خوب شناخته شده جایگزین کنید و اگر مدار به درستی عمل کند، مشاهده کنید.

راه حل ها و اقدامات پیشگیرانه

طراحی مدار مناسب می تواند از بسیاری از شکست ها جلوگیری کند.از مقاومت های دروازه مناسب برای محدود کردن جریان برس استفاده کند و شامل دستگاه های حفاظتی مانند دیودهای تلویزیون یا snubbers باشد.اطمینان حاصل کنید که ولتاژ عملیاتی و فعلی در محدوده های امتیاز شده ی فوتو باقی بماند.

پیاده سازی گرمایش کافی و خنک کننده برای مدیریت استرس حرارتی به طور منظم بازرسی و آزمایش مواد منفجره در برنامه های حیاتی برای تشخیص نشانه های اولیه از تخریب.استفاده از اجزای با کیفیت بالا از تولید کنندگان معتبر همچنین می تواند خطر شکست را کاهش دهد.