درک ولتاژهای برش و اشباع در ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (BJTs) برای طراحی مدارهای قابل اعتماد تغییر ضروری است.این پارامترها مناطق عملیاتی ترانزیستور را تعیین می کنند و بر کارایی و ثبات مدار تأثیر می گذارند.

کاهش ولتاژ در BJT Switches

این ولتاژ حداقل ولتاژ پایه (VBE است که باید ترانزیستور را در زمان V زیر این آستانه قرار دهد، ترانزیستور در منطقه برش باقی می ماند، به عنوان یک سوئیچ باز عمل می کند، به طور معمول این ولتاژ حدود 0.7 ولت برای سیلیکون است.

برای اطمینان از اینکه ترانزیستور به طور کامل خاموش می شود، ولتاژ درایو پایه باید زیر این سطح برش قرار گیرد. سوگیری مناسب مانع از رفتار ناخواسته و کاهش مصرف برق می شود.

تخلیه در BJT Switches

ولتاژ اشباع (VCE (sat) ولتاژ جمع آوری کننده است که ترانزیستور به طور کامل در آن قرار دارد، نشان می دهد که ولتاژ در سراسر ترانزیستور در منطقه اشباع، به طور معمول حدود 0.1 تا 0.3 ولت برای سیلیکون BJTs.

دستیابی به یک کم و پایین CE] برای تغییر کارآمد بسیار مهم است، زیرا کاهش قدرت را به حداقل می رساند، جریان پایه باید به اندازه کافی بالا باشد، اغلب چند مورد از جریان جمع آوری مورد نیاز، برای اطمینان از اینکه ترانزیستور به اشباع عمیق رانده شده است.

ولتاژ محاسبه برای طراحی قوی

طراحی یک سوئیچ قوی BJT شامل انتخاب ولتاژ پایه و جمع آوری است که به وضوح مناطق برش و اشباع را تعریف می کند، این شامل اطمینان از ولتاژ درایو پایه در طول حالت های آنلاین است و در طول حالت های رسمی زیر آن باقی می ماند.

علاوه بر این، حسابداری برای تغییرات در پارامترهای ترانزیستور و اثرات دما مهم است.استفاده از حاشیه های ولتاژ محافظه کار کمک می کند تا عملیات قابل اعتماد را در شرایط مختلف حفظ کند.

دانلود بازی Key Steels

  • [[ویرایش] [[[ویرایش] [[[ویرایش]] [[[ویرایش]]] [[ویرایش] [۳] [FLT3] [۳] [۳] [۳] [۳]] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۰٫۰٫۰٫۰٫۷]
  • [[ویرایش] [[[ویرایش] [[[ویرایش]] [[[ویرایش]]] [[[ویرایش]]] [[[ویرایش]] [FLT3] [[ویرایش]
  • [[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱]]: [۱] [۱۰] [۱] [۱] [۱] [۱]] [۱] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱] [۱]] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱
  • [[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰]] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰]] [۳] [۳] [۳] در [وحرام] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۱] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [بر [۳] [بر [بر [بر [بر [بر [بر [۳] [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [۳] [۳] [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [بر [