درک منطقه depletion در دیودها برای بهینه سازی عملکرد دستگاه ضروری است. دقیق محاسبه این منطقه به طراحی دیودهای کارآمد و p-n کمک می کند که به طور گسترده در مدارهای الکترونیکی استفاده می شود.

منطقه ی حذفی در Schottky دیود

در دیودهای Schottky، فرم های منطقه depletion در رابط متال-semior غده ها، عرض آن بستگی به تفاوت عملکرد کار و سطوح دوپینگ دارد. عرض depletion را می توان با استفاده از پتانسیل داخلی و غلظت دوپینگ محاسبه کرد.

در این میان، به صورت زیر به آن اشاره می شود:

[[ویرایش] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱۰] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۳] [۳] [۱] [۲] [۲] [۲] [۱] [۲] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۱] [۲] [۱] [۱] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲]

جایی که ε مجوز نیمه هادی است، V bi پتانسیل داخلی است، q اولین بار است و N d غلظت اهدا کننده است.

منطقه ی Depletion در p-n دیود

در دیودهای p-n، فرم های منطقه depletion در اتصال بین مواد p-type و n-type، عرض آن بر رفتار پیش رو دیود و معکوس تأثیر می گذارد. Calculation این عرض شامل اصول مشابه است اما هر دو طرف اتصال را در نظر می گیرد.

عرض تخلیه (W) در یک اتصال p-n محاسبه شده است:

W = مربع (۲ * ε * (V bi + V R) / (q * (N A + N D) / (N A * N D)

در جایی که V R سوگیری معکوس اعمال شده است، N A و N D به ترتیب غلظت های پذیرش کننده و اهدا کننده هستند.

طراحی ذهنیت

محاسبات دقیق منطقه ای باعث می شود مهندسان رفتار دستگاه را در شرایط مختلف پیش بینی کنند. تنظیم سطوح دوپینگ و خواص مواد می تواند عرض کاهش برای برنامه های خاص را بهینه سازی کند.

عوامل کلیدی که بر مناطق کاهشی تأثیر می گذارند شامل غلظت دوپینگ، مجوز مواد و ولتاژ اعمال شده است.کنترل مناسب این پارامترها بهره وری دستگاه و طول عمر را افزایش می دهد.