درک آستانه های ولتاژ بازگشتی ترانزیستورها برای طراحی مبدل های قدرت کارآمد ضروری است. سیلیکون و گالیم Nitride (GaN) ترانزیستورها دارای ویژگی های مختلفی هستند که بر رفتار تغییر و عملکرد کلی آنها تأثیر می گذارد.

سیلیکون Transistor Turn- On Steel

ترانزیستورهای سیلیکون معمولاً دارای ولتاژ آستانه ای از 0.7V تا 1.5V هستند، این ولتاژ حداقل ولتاژ ورودی به منبع مورد نیاز برای تبدیل ترانزیستور به جریان فعلی است. مقدار دقیق بستگی به دستگاه خاص و فرآیند تولید آن دارد.

طراحان اغلب حاشیه ای را بالاتر از ولتاژ آستانه برای اطمینان از تعویض قابل اعتماد در نظر می گیرند.برای مثال، یک آلیاژ سیلیکون ممکن است با ولتاژ دروازه ای از 10V به طور کامل آن را به سمت بالا از آستانه آن هدایت کند.

GaN Transistor Turn- On Steel

ترانزیستورهای گالیم معمولا ولتاژ آستانه بالاتری دارند، به طور معمول بین 2V و 4V، آنها نیاز به یک ولتاژ بالاتر برای منبع برای تغییر دارند، اما هنگامی که فعال می شوند، آنها مقاومت کمتری را ارائه می دهند و سرعت های تعویض سریع تر را ارائه می دهند.

این ویژگی باعث می شود که ترانزیستورهای GaN برای برنامه های با فرکانس بالا و تبدیل قدرت با کارایی بالا مناسب برای استفاده کامل از مزایای خود مناسب باشند.

محاسبه Thresholds در Converter

برای تعیین آستانه ولتاژ در مبدل، مشخصات داده های ترانزیستور را در نظر بگیرید. ولتاژ آستانه (Vth ) نشان دهنده حداقل ولتاژ دروازه مورد نیاز برای هدایت است.

برای ترانزیستورهای سیلیکون، یک ولتاژ درایو دروازه معمولی از 10V رایج است، ارائه یک حاشیه ایمنی بالاتر از آستانه برای ترانزیستورها GaN، ولتاژ درایو 4V به 5V اغلب کافی است، اما برخی از طرح ها ممکن است نیاز به ولتاژ بالاتر برای اجرای کامل داشته باشند.

  • بررسی و بررسی حجم داده های هسته ای برای V
  • از این رو، از V بهره مند می شود.[۱۰]
  • تنظیم مدار را بر اساس الزامات تغییر هدایت کنید.
  • اثرات دما را بر ولتاژ آستانه در نظر بگیرید.