درک ولتاژهای برش و اشباع ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (BJTs) برای طراحی مدارهای الکتریکی کارآمد قدرت ضروری است.این پارامترها مناطق عملیاتی ترانزیستور و عملکرد مدار و قابلیت اطمینان را تعیین می کنند.

کاهش ولتاژ در BJTs

این ولتاژ حداقل ولتاژ پایه (VBE است که باید ترانزیستور را در زمان V زیر این آستانه قرار دهد، ترانزیستور در منطقه برش باقی می ماند، به عنوان یک سوئیچ باز عمل می کند، به طور معمول این ولتاژ حدود 0.7 ولت برای سیلیکون است.

برای محاسبه ولتاژ قطع، ولتاژ جلو اتصال پایه را در نظر بگیرید.Ensuring V BE از این ارزش فراتر می رود برای انجام دقیق تصمیم گیری دقیق کمک می کند تا از تغییر ناخواسته در مدارهای قدرت جلوگیری شود.

تخلیه در BJTs

ولتاژ اشباع (VCE (sat) ولتاژ جمع آوری کننده-emitter است که ترانزیستور به طور کامل در آن قرار دارد، نشان دهنده پایین ترین ولتاژ در سراسر جمع آوری و انتشار دهنده در طول عمل است.

{FLT:0 [sat] شامل بررسی جریان جمع آوری (من C و ویژگی های اشباع ترانزیستور است.

روش های محاسباتی عملی

برای تعیین کاهش و اشباع ولتاژ، از مشخصات داده و شرایط مدار استفاده کنید. [۱] برای قطع، تأیید کنید که V از آستانه استفاده می کند، زیرا اشباع پایه (من B برای هدایت جمع آوری کننده فعلی (I [F4: FLT4] به طور معمول توسط بتا (۵) اجباری است.

  • پارامترهای Datasheet را بررسی کنید
  • جریان پایه Calculate برای اشباع
  • کاهش ولتاژ اندازه در مدار
  • تنظیم پایه بر اساس