اتصال الکترولیتی الکترون یک فرایند اساسی در نیمه هادی ها است که بر خواص الکتریکی و نوری آنها تأثیر می گذارد.در نیمه هادی های نانوساختار یافته، این فرایند می تواند به طور قابل توجهی با مواد عمده به دلیل سلول های کوانتومی و اثرات سطح متفاوت باشد. درک و مدل سازی این اتصال برای طراحی دستگاه های الکترونیکی کارآمد و الکترونیکی ضروری است.

پایه های Electron-Hole Recombination

Recombination زمانی اتفاق می افتد که یک الکترون در گروه هدایت انرژی را از دست می دهد و در یک حفره در باندvalence قرار می گیرد.این فرایند انرژی را آزاد می کند، اغلب به شکل نور (ترکیب مجدد گسترده) یا گرما (نعودی) تأثیر می گذارد.

اثرات نانوساختار

نانوساختارسازی وضعیت های الکترونیکی را در داخل سلول کوانتومی مواد تغییر می دهد و می تواند شکاف انرژی را افزایش دهد و مسیرهای اتصال مجدد را تغییر دهد.حالت های سطحی و نقص ها برجسته تر می شوند و اغلب به عنوان مراکز ادغام مجدد عمل می کنند که می توانند فرآیندهای غیر قابل توجهی را افزایش دهند.

مدل سازی رویکرد

چندین روش برای مدل سازی مجدد الکترون-hole در نیمه هادی های نانوساختاری استفاده می شود:

  • معادلات را تقویت کنید: فرایند را به نرخ های اتصال مجدد بر اساس پروتزهای حامل ساده کنید.
  • مدل های مکانیکی Quantum: [FLT 1] از Schrödinger و چگالی تئوری های عملکردی برای تجزیه و تحلیل حالات الکترونیکی استفاده کنید.
  • شبیه سازی مونتتون کارلو [FLT 1] [FLT 1] دینامیک و تعاملات در طول زمان.
  • [Surface and Def Model] و مدل سازی (FLT:1) : در سطوح مختلف و سطوح نقصی که بر روی پیوند مجدد تأثیر می گذارد.