درک طول انتشار در مواد نیمه هادی برای بهینه سازی عملکرد دستگاه ضروری است. طول تزریق به طور متوسط یک حامل شارژ مانند یک الکترون یا سوراخ، قبل از ترکیب دقیق مدل سازی و محاسبه این طول ها کمک می کند تا در طراحی دستگاه های الکترونیکی و الکترونیکی کارآمد تر کمک کند.

پایه های Diffusion در نیمه هادی ها

Diffusion زمانی رخ می دهد که حامل های شارژ از مناطق غلظت بالا به غلظت پایین حرکت می کنند، این فرایند توسط گرادیان غلظت هدایت می شود و تحت تاثیر دما، خواص مواد و سطوح دوپینگ قرار می گیرد. طول انتشار یک پارامتر کلیدی است که نشان می دهد که چگونه اپراتورهای دور می توانند در داخل یک ماده قبل از اتصال مجدد سفر کنند.

مدل سازی Diffusion طول

طول های تزریق معمولا با استفاده از رابطه مدل سازی می شوند:

[[ویرایش] [۱]

در آن جا که [در برابر [و] [از [براى] [از [براى] [براى] [براى] [براى] [براى]] [براى [براى] [براى]] [براى [براى]] [براى [براى]] [و [از [براى]]] [و [و [و] [و [از [و]] [از [و]]] [و [و [از [و [وى]] [از [و]]] [از [و [و]]] [و [از [و [و [و]]]]]]]]] [و [و [از [و [و [و [و [و [براى [و [از [و]]]]]]]] [و [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [براى [براى [از [از [براى [از [و]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]

دانلود آهنگ Calculation Diffusion طول

محاسبه ها شامل تعیین ضریب انتشار و عمر حامل است. ضریب انتشار می تواند با استفاده از رابطه انیشتین تخمین زده شود:

[[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۱] [۳] [۱]

در حالی که [در این باره] تحرک است [FLT3] ثابت بولتzmann است، درجه حرارت است، و q [F7] شارژ اولیه است.

برنامه های کاربردی در طراحی دستگاه

بهینه سازی طول انتشار باعث افزایش کارایی دستگاه می شود، به عنوان مثال، در سلول های خورشیدی، طول انتشار طولانی تر اجازه می دهد تا لایه های فعال ضخیم تر، افزایش جذب نور در ترانزیستورها، کنترل طول انتشار کمک می کند تا به حداقل رساندن جریان نشت و بهبود سرعت تغییر.

  • سلول های خورشیدی
  • دیودهای نوری-Fing دیود
  • ترانسیست ها
  • کشف عکس