Table of Contents
ترانسیسترهای B دوقطبی (BJTs) اجزای ضروری در تقویت کننده های قدرت هستند، ارائه تقویت فعلی لازم برای برنامه های مختلف الکترونیکی. ملاحظات طراحی مناسب و محاسبات برای اطمینان از کارایی، قابلیت اطمینان و عملکرد مدارهای تقویت کننده بسیار مهم است.
اصول پایه BJTs در تقویت کننده های قدرت
BJTs به عنوان دستگاه های کنترل شده فعلی عمل می کند، جایی که یک جریان ورودی کوچک در پایگاه کنترل جریان بزرگتر از جمع کننده به تقویت کننده قدرت، BJTs جریان ها و ولتاژ های بالا را کنترل می کند، نیاز به انتخاب دقیق و تعصب برای جلوگیری از آسیب و اطمینان از عملیات خطی.
طراحی ذهنیت
عوامل کلیدی در طراحی تقویت کننده های قدرت مبتنی بر BJT شامل انتخاب رتبه بندی های مناسب ترانزیستورها، روش های سوگیری و مدیریت حرارتی است. اطمینان از این که ترانزیستورها در محدوده امن خود عمل می کنند، مانع از بیش از حد گرم شدن و شکست می شود.
محاسبه برای طراحی تقویت کننده قدرت
محاسبه ها شامل تعیین نقطه ی پر جنب و جوش (Q-point)، خط بار و مقاومت های پیش رو می شوند. جریان جمع آوری کننده (Ic) و ولتاژ گردآورنده (Vce) برای بهینه سازی خطی بودن و بهره وری معمولی فرمول ها شامل:
- [[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱]] [۱]] [۱] [۲]] [۲]] [۱]] [۲]] [۱] [۲]] [۱]] [۲]] [۲] [۲]] [۲] [۲] [۲]] [۲] [۵] [۵] [۲] [۵] [۲] [۲] [۵] [۲] [۲] [۲] [۵] [۱] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۲] [۱] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [
- [[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰]] [۱] [۱]] [۱] [۱]] [۱]] [۱] [۲]] [۲]] [۲]] [۱] [۱] [۱]] [۱] [۲]] [۵]
- [[ویرایش] [۱] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱۰] [۱] [۱] [۱۰] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۵] [۵] [۲] [۵] [۵] [۲] [۲] [۵] [۵] [۲] [۵] [۱] [۲] [۲] [۲] [۵] [۲] [۲] [۲] [۵] [۱] [۱] [۲] [۲] [۲] [۲] [۱] [۱] [۲] [۱] [۱] [۱] [۱] [۱] [۲] [۵] [۵] [۲] [۲] [۱] [۵] [۵] [۱] [۱] [۱] [۱] [۵] [۵] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۲] [۵] [۲] [۲]
ملاحظات حرارتی شامل محاسبه میزان قدرت ترانزیستور و ترکیب جوش های حرارتی برای پراکنده کردن گرمای اضافی به طور موثر است.